[发明专利]像素及包括像素的有机发光显示设备有效
申请号: | 201710206530.5 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN107275368B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 金岐勳;金得钟;李根洙;李东炫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/131 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 包括 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种有机发光显示设备,包括:
多个像素,所述像素中的至少一个包括:
第一导电层,位于基板上方;
第一有机绝缘层,位于所述第一导电层上方,并且包括第一开口,所述第一开口暴露所述第一导电层的一部分;
第一无机绝缘层,位于所述第一有机绝缘层上方并且包括第二开口,所述第二开口暴露所述第一导电层通过所述第一开口暴露的所述部分;
第二导电层,位于所述第一无机绝缘层上并且接触所述第一导电层通过所述第一开口和所述第二开口暴露的所述部分,所述第二导电层与所述第一有机绝缘层的顶表面直接接触;
第二有机绝缘层,位于所述第二导电层上方,所述第二有机绝缘层包括暴露所述第二导电层的第三开口;以及
像素电极,通过所述第三开口接触所述第二导电层,
其中,所述第二有机绝缘层布置在所述第二导电层和所述像素电极之间。
2.如权利要求1所述的设备,还包括:
薄膜晶体管,包括有源层以及与所述有源层绝缘的栅电极,其中,所述有源层包括连接源极区和漏极区的沟道区,并且其中,所述第一导电层电连接至所述源极区或所述漏极区。
3.如权利要求1所述的设备,其中,所述第一有机绝缘层的厚度大于所述第一无机绝缘层的厚度。
4.如权利要求1所述的设备,其中,所述第一无机绝缘层包括暴露所述第一有机绝缘层的一部分的多个附加开口。
5.如权利要求4所述的设备,其中,所述第一有机绝缘层通过所述附加开口中的至少一个直接接触所述第二有机绝缘层。
6.如权利要求1所述的设备,还包括:
第二无机绝缘层,位于所述第二导电层与所述第二有机绝缘层之间。
7.如权利要求6所述的设备,其中,所述第二无机绝缘层覆盖所述第二导电层的边缘并且包括与所述第一无机绝缘层接触的部分。
8. 如权利要求1所述的设备,还包括:
中间层,位于所述像素电极上方并且包括发射层;以及
相对电极,位于所述中间层上方。
9. 如权利要求1所述的设备,还包括:
下电源线,位于与所述第一导电层相同的层上,以及
上电源线,位于与所述第二导电层相同的层上。
10.如权利要求9所述的设备,其中,所述下电源线和所述上电源线通过所述第一有机绝缘层和所述第一无机绝缘层中的接触孔彼此电连接。
11.如权利要求9所述的设备,还包括:
存储电容器,包括位于所述基板上方的第一板和面向所述第一板的第二板,其中,所述第二板位于与所述下电源线和所述上电源线不同的层上,并且电连接至所述下电源线和所述上电源线。
12. 如权利要求1所述的设备,其中:
所述第一有机绝缘层包括聚酰亚胺,以及
所述第一无机绝缘层包括氧化硅或氮化硅。
13.如权利要求1所述的设备,其中,所述第二导电层包括包含钛的第一层、包含铝的第二层以及包含钛的第三层。
14. 如权利要求1所述的设备,其中:
所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度,以及
所述第一无机绝缘层包括在所述第一开口中接触所述第一导电层的部分。
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