[发明专利]一种交变磁场磁光成像检测装置及系统在审

专利信息
申请号: 201710197803.4 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN106770625A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 高向东;马女杰;王煜 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: G01N27/82 分类号: G01N27/82;G01N25/72
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁场 成像 检测 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种交变磁场磁光成像检测装置,包括磁光成像传感器,用于依据处理器发送的第一控制指令采集励磁后的待测工件的磁光图像,并发送所述磁光图像,以便所述处理器对所述磁光图像进行缺陷分析得到分析结果;其特征在于,所述装置还包括交变磁场发生器,用于依据所述处理器发送的第二控制指令、并以预设频率对所述待测工件进行励磁,使所述待测工件产生相应的感应磁场;所述预设频率依据所述待测工件的导磁率确定。

2.根据权利要求1所述的交变磁场磁光成像检测装置,其特征在于,所述装置还包括:

加热器,用于对待测工件进行加热;还用于依据第三控制指令停止对所述待测工件加热;

温度监控器,用于对待测工件的温度进行监测,并当所述温度达到第一预设阈值时生成第一温度信息,以便所述处理器依据所述第一温度信息生成所述第一控制指令、所述第二控制指令和所述第三控制指令。

3.根据权利要求2所述的交变磁场磁光成像检测装置,其特征在于,所述加热器为红外加热器。

4.根据权利要求3所述的交变磁场磁光成像检测装置,其特征在于,所述磁光成像传感器包括激光光源、起偏器、检偏器、磁光薄膜以及电荷耦合器件。

5.根据权利要求4所述的交变磁场磁光成像检测装置,其特征在于,所述电荷耦合器件为CMOS图像传感器。

6.根据权利要求5所述的交变磁场磁光成像检测装置,其特征在于,所述交变磁场发生器包括U型铁氧体和线圈,所述线圈缠绕在所述U型铁氧体上。

7.根据权利要求6所述的交变磁场磁光成像检测装置,其特征在于,所述温度监控器,还用于当所述温度达到第二预设阈值时生成第二温度信息,以便所述处理器依据所述第二温度信息生成第四控制指令;

所述加热器,还用于依据第四控制指令开始对所述待测工件进行加热;所述第二预设阈值小于所述第一预设阈值。

8.一种交变磁场磁光成像检测系统,其特征在于,包括终端设备及如权利要求1-7任意一项所述的交变磁场磁光成像检测装置,所述终端设备包括处理器。

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