[发明专利]对工艺/温度和电源变化具有低灵敏度的HV电压比较器有效
申请号: | 201710196466.7 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN107870259B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | A·伊奥里奥;J·维奎里;E·沃尔皮 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | G01R17/02 | 分类号: | G01R17/02;G01R17/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 温度 电源 变化 具有 灵敏度 hv 电压 比较 | ||
本申请涉及对工艺/温度和电源变化具有低灵敏度的HV电压比较器。一种用于检测高电压域中的电压差(VA‑VB)的电压比较器,其中,该比较器接收输入电压(V输入)并且将其与同样在输入中接收到的基准电压(V基准)进行比较,其中,来自该比较器(COMP)的输出电压(V输出)在该输入电压(V输入)大于该基准电压(V基准)时取逻辑值1并且在该输入电压(V输入)小于或等于该基准电压(V基准)时取逻辑值0,其中,该比较器(COMP)包括低电压部件(M1‑4,M5‑6)和单个高电压部件(M7)。具体地,这些低电压部件(M1‑4,M5‑6)是MOS晶体管并且该高电压部件(M7)是高电压PMOS。
技术领域
本说明书涉及开关转换器。一个或多个实施例可以应用到DC-DC降压转换器电路(也被称为降压转换器)。
本说明书涉及用于在不需要使用高电压(HV)比较器的情况下检测高电压域中的电压差的解决方案,同时维持低电压(LV)结构典型的高精度。
背景技术
在文献中找到的典型解决方案利用其中低电压(LV)部件受“共源共栅”结构保护的比较器(该“共源共栅”结构是用高电压(HV)部件实现的)或分压器,该分压器将待监测高电压(HV)电压“按比例减小”至低电压(LV)部件的工作电压范围内。
这些解决方案通常受限于电压与基准电压V基准的比较。
作为比较器的示例,可以考虑图1和图2的常规电路。
该比较器具有由低电压(LV)部件形成的差分输入对M1-M2(图2),以减小比较器的偏移(并因此减小待检测阈值的误差)和增益级M5。
使能够读取高电压(HV)电压V输入的解决方案即在电路中包括电阻式分压器R1-R2,该电阻式分压器将电压V输入“按比例减小”至比较器的差分对的工作范围内:
V输入的最大极限由最大电压确定,差分输入对的LV设备可以在该最大电压处工作。电路的非理想特性(例如,比较器的偏移电压(Vio)、V基准的误差、电阻式分压比的误差)在V输入值中引入误差。
使用电阻式分压器的解决方案具有以下缺点:
-比较器的偏移电压Vio、阈值电压V基准的误差和电阻比值R1/R2的误差被分压比自身“放大”,并且被组合地视为V输入阈值的误差V输入_误差。
这些贡献一般可以被称为比较器V-节点上的附加误差电压V误差。
节点V输入上由此产生的等效误差为:
该等效误差随着HV与LV范围之间的差值(或者比值R1/R2)增大;
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