[发明专利]一种施密特触发器电路

权利要求书

1.一种施密特触发器电路，其特征在于，包括由MOS管组成的倒相电路、第一反馈电路和第一反相器；

所述倒相电路，用于通过其翻转电压决定触发器的负向阈值电压；

所述第一反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压；

所述第一反相器，用于对所述倒相电路的输出信号整形。

2.根据权利要求1所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述倒相电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP3和NMOS管MN1，所述第一反馈电路包括PMOS管MP2，所述第一反相器包括PMOS管MP4和NMOS管MN2；

所述PMOS管MP1的栅极接输入端，源极和衬底接电源VDD，漏极接所述PMOS管MP3的源极；所述PMOS管MP3的栅极接输入端，漏极接NMOS管MN1的漏极，衬底接电源VDD；所述NMOS管MN1的栅极接输入端,源极和衬底接地VSS；所述PMOS管MP4的栅极接PMOS管MP3的漏极及NMOS管MN1的漏极，源极和衬底接电源VDD，漏极与所述NMOS管MN2的漏极相连同时作为输出端；所述NMOS管MN2的栅极接PMOS管MP4的栅极，源极和衬底接地VSS；所述PMOS管MP2的栅极接PMOS管MP4的漏极及NMOS管MN2的漏极，源极和衬底接电源VDD，漏极接PMOS管MP1的漏极及PMOS管MP3的源极。

3.一种施密特触发器电路，其特征在于，包括由MOS管组成的反相电路、第二反馈电路和第二反相器；

所述反相电路，用于通过其反转电压决定触发器的正向阈值电压；

所述第二反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变负向阈值电压；

所述第二反相器，用于对所述反相电路的输出信号整形。

4.根据权利要求3所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述反相电路包括PMOS管MP5、NMOS管MN3和NMOS管MN5，所述第一反馈电路包括NMOS管MN6，所述第一反相器包括PMOS管MP6和NMOS管MN4；

所述NMOS管MN5的栅极接输入端,源极和衬底接地VSS，漏极接NMOS管MN3的源极；所述NMOS管MN3的栅极接输入端，源极接NMOS管MN5的漏极，漏极接PMOS管MP5的漏极，衬底接地VSS；所述PMOS管MP5的栅极接输入端，源极和衬底接电源VDD；所述NMOS管MN4的栅极接PMOS管MP5的漏极和NMOS管MN3的漏极，源极和衬底接VSS，漏极与所述PMOS管的MP6漏极连接同时作为输出端；所述PMOS管MP6的栅极接NMOS管MN4的栅极，源极和衬底接电源VDD；所述NMOS管MN6栅极接PMOS管MP6的漏极和NMOS管MN4的漏极，源极和衬底接地VSS，漏极接NMOS管MN5的漏极和NMOS管MN3的源极。