[发明专利]一种有机-无机荧光复合材料的制备方法

说明书

本发明属于材料技术领域，具体涉及一种有机‑无机荧光复合材料的制备方法。本发明采用混合溶剂均匀共沉淀法一步合成有机‑无机荧光复合材料，工艺简单，过程容易控制，成本低，可大规模工业生产。由于有机‑无机荧光复合材料制备过程属于均相成核，材料粒径较小，性能较好。所得到的有机‑无机荧光复合材料有望用于固体发光器件领域，商业化前景可观。

技术领域

本发明属于材料技术领域，具体涉及一种有机-无机荧光复合材料的制备方法。

背景技术

有机类荧光材料在通常的溶液状态下容易团聚，不利于其高效发光。若将有机荧光材料作为客体均匀分散于一种主体材料中，则可最大限度的发挥其发光效率。水滑石特殊的层状结构是比较理想的主体材料，有机荧光材料根据其结构不同主要有三大类即荧烷衍生物类、1，8-萘酰亚胺类和香豆素类。目前研究最多的是将荧烷衍生物类、1，8-萘酰亚胺类和香豆素类这三大有机荧光材料作为客体与水滑石主体材料制备有机-无机荧光材料。现有的制备工艺主要是化学共沉淀法和电解氧化法，这两种方法工艺复杂，条件苛刻，不利于工业化。专利[CN201010620420.1]8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料，采用化学共沉淀法制备了8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料，制备过程需要严格控制反应物的pH值，另外，需要氮气保护。专利[CN201210305979.4]4-羟基豆香素插层蓝光复合发光材料及其制备方法，采用化学共沉淀法制备了4-羟基豆香素插层蓝光复合发光材料，制备过程同样需要严格控制反应物的pH值和氮气保护。专利[CN201410563423.4]聚乙烯基咔唑插层水滑石荧光薄膜及其制备方法，先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成板层垂直铝基底排列的对叔丁基苯甲酸根插层水滑石薄膜，在层间形成含有苯环结构的疏水性环境，然后将N-乙烯基咔唑引入并固定于对叔丁基苯甲酸根修饰的水滑石层间，再将该薄膜浸泡在氯仿中，用高压汞灯照射，促使N-乙烯基咔唑在水滑石层间发生原位聚合，得到聚N-乙烯基咔唑合对叔丁基苯甲酸根插层的水滑石薄膜。专利[CN201410563424.9]能反映环境湿度的荧光薄膜材料及其制备方法，先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成板层垂直铝基底排列的苯甲酸根插层水滑石薄膜，在层间形成含有苯环的疏水性环境，然后将N-乙基咔唑引入并固定于水滑石层间制得N-乙基咔唑与苯甲酸根插层的水滑石超分子结构。

发明内容

本发明的目的是提供一种简单工艺制备有机-无机荧光复合材料的方法，解决现有固体荧光复合材料制备工艺复杂、成本高等问题。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种有机-无机荧光复合材料的制备方法，包括以下制备步骤：

(1)用水及有机溶剂A配制混合溶剂B，其中A为水溶性有机溶剂，且水和A的体积比为(0.25-4):1；

(2)将Me(Ⅱ)(NO₃)₂·6H₂O、Al(NO₃)₃·9H₂O、尿素及有机荧光材料一起溶于混合溶剂B中得溶液C，其中Me为二价金属元素，Me²⁺与Al³⁺摩尔比为(2-3):1，尿素与NO₃^-摩尔比为(1-3)：1，有机荧光材料与Me²⁺摩尔比为1:(20-80)；

(3)将溶液C在95-105℃动态反应6-12h，放入95-105℃烘箱中静态晶化6-12h，冷却后，蒸馏水水洗至中性，干燥得有机-无机荧光复合材料。

优选地，步骤(1)所述有机溶剂A为乙醇、乙二醇或己内酰胺等。

优选地，步骤(2)所述Me为Fe、Mg、Zn、Ni、Co、Mn或Cu元素。