[发明专利]变形测定装置

权利要求书

1.一种变形测定装置，其特征在于，包括一个以上的变形测定元件，所述变形测定元件包括：

基材，由具有脆性材料特性的弹性体材料组成；

敏感栅，固定结合于所述基材表面并形成一体化结构，所述敏感栅根据变形按比例输出检测值。

2.如权利要求1所述的变形测定装置，其特征在于：所述敏感栅的材料比所述基材的材料具有更高的弹性极限。

3.如权利要求1或2所述的变形测定装置，其特征在于：所述基材呈立体结构，所述敏感栅设置在所述基材立体六面中的一面或多面。

4.如权利要求1或2所述的变形测定装置，其特征在于：变形测定装置还包括金属弹性体，所述变形测定元件设置在所述金属弹性体上，所述基材的材料弹性极限小于所述金属弹性体的弹性极限，所述基材和所述金属弹性体的表面结合，所述基材位于所述金属弹性体和所述敏感栅之间。

5.如权利要求4所述的变形测定装置，其特征在于：所述弹性体材料和所述基材是同一部件。

6.如权利要求5所述的变形测定装置，其特征在于：所述变形测定装置和承重结构体构成秤，所述承重结构体、所述弹性体和所述基材是同一部件。

7.如权利要求6所述的变形测定装置，其特征在于：所述承重结构体、所述弹性体和所述基材为平板结构，用于加载外部载荷。

8.如权利要求1或2或3所述的变形测定装置，其特征在于：所述变形测定元件为薄膜变形测定元件，所述敏感栅的材料为薄膜结构并通过薄膜工艺形成于所述基材的表面。

9.如权利要求8所述的变形测定装置，其特征在于：所述基材的材料为玻璃。

10.如权利要求9所述的变形测定装置，其特征在于：所述基材的玻璃的厚度为0.1mm以上。

11.如权利要求8所述的变形测定装置，其特征在于：所述基材的材料为陶瓷。

12.如权利要求11所述的变形测定装置，其特征在于：所述基材的陶瓷的厚度为0.01mm以上。

13.如权利要求8所述的变形测定装置，其特征在于：所述敏感栅的材料为金属电阻体薄膜。

14.如权利要求13所述的变形测定装置，其特征在于：所述敏感栅的金属电阻体薄膜的厚度为10nm以上5μm以下。

15.如权利要求1或2或3所述的变形测定装置，其特征在于：所述变形测定装置包括多层重叠的所述变形测定元件，各所述变形测定元件组成多轴测试结构。

16.如权利要求1或2或3所述的变形测定装置，其特征在于：所述变形测定装置包括多个排列于同一平面内的所述变形测定元件，各所述变形测定元件组成多轴测试结构。

17.如权利要求1或2或3所述的变形测定装置，其特征在于：所述变形测定元件还包括由设置在所述基材表面的具备特性补偿功能的材料组成的补偿元件。

18.如权利要求8所述的变形测定装置，其特征在于：所述敏感栅的材料的薄膜结构对应的薄膜工艺包括物理成膜工艺和化学成膜工艺。

19.如权利要求18所述的变形测定装置，其特征在于：所述物理成膜工艺包括MBE或溅射；所述化学成膜工艺包括电镀和CVD。

20.如权利要求1或2或3所述的变形测定装置，其特征在于：在所述基材和所述敏感栅之间插入有缓冲层，用于增强所述基材和所述敏感栅的结合强度。

21.如权利要求8所述的变形测定装置，其特征在于：所述敏感栅的材料为半导体薄膜。