[发明专利]智能功率模块和空调器

权利要求书

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

输入管脚；

输出管脚；

逆变电路，所述逆变电路的输入端与所述输入管脚相连，所述逆变电路的输出端与所述输出管脚相连，所述逆变电路包括多个功率开关MOSFET管以及分别与所述多个功率开关MOSFET管对应并联的多个续流MOSFET管，所述逆变电路用于将所述输入管脚输入的直流电逆变为交流电；

驱动单元，所述驱动单元分别与所述多个功率开关MOSFET管的栅极相连，所述驱动单元用于驱动所述多个功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述逆变电路进行逆变。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，包括：

PFC输出管脚，所述PFC输出管脚与所述输入管脚相连；

PFC输入管脚；

功率因数校正PFC电路，所述功率因数校正PFC的输入端与所述PFC输入管脚相连，所述功率因数校正PFC的输出端与所述PFC输出管脚相连，所述功率因数校正PFC电路包括PFC功率开关MOSFET管和PFC续流MOSFET管，所述PFC功率开关MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述驱动单元用于驱动所述PFC功率开关MOSFET管的导通和关断，以控制所述PFC电路进行功率因数校正。

3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述多个功率开关MOSFET管和所述PFC功率开关MOSFET管为碳化硅MOSFET管，所述多个续流MOSFET管和所述PFC续流MOSFET管为氮化稼MOSFET管。

4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述输入管脚包括第一输入管脚至第三输入管脚，所述输出管脚包括第一输出管脚至第二输出管脚，所述多个功率开关MOSFET管包括第一MOSFET管至第四MOSFET管，所述多个续流MOSFET管包括第七MOSFET管至第十MOSFET管，其中，

所述第一MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第一MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第二MOSFET管的漏极与所述第一MOSFET管的源极相连并具有第一节点，所述第二MOSFET管的源极与所述第二输入管脚相连，所述第二MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第一节点与所述第一输出管脚相连；

所述第七MOSFET管的漏极与所述第一MOSFET管的漏极相连，所述第七MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第一MOSFET管的源极相连；

所述第八MOSFET管的漏极与所述第二MOSFET管的漏极相连，所述第八MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第二MOSFET管的源极相连；

所述第三MOSFET管的漏极与所述第一输入管脚相连，所述第三MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，所述第四MOSFET管的漏极与所述第三MOSFET管的源极相连并具有第二节点，所述第四MOSFET管的源极与所述第三输入管脚相连，所述第四MOSFET管的栅极与所述驱动单元相连，其中，所述第二节点与所述第二输出管脚相连；

所述第九MOSFET管的漏极与所述第三MOSFET管的漏极相连，所述第就MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第三MOSFET管的源极相连；

所述第十MOSFET管的漏极与所述第四MOSFET管的漏极相连，所述第十MOSFET管的源极与栅极相连后与所述第四MOSFET管的源极相连。