[发明专利]带运放摆率预测功能的超低功耗模数转换器

权利要求书

1.带运放摆率预测功能的超低功耗模数转换器，包含积分器和量化器；其特征在于：还包括摆率预测电路，模数转换器的信号输出端输入到摆率预测电路中，所述摆率预测电路的输出端控制积分器中的第一级跨导运算放大器的输出级电流，所述第一级跨导运算放大器包含至少1个可调输出级电流模块。

2.根据权利要求1所述的带运放摆率预测功能的超低功耗模数转换器，其特征在于：所述第一级跨导运算放大器包括PMOS管(M01)、PMOS管(M02p)、PMOS管(M02n)、PMOS管(M11p)、PMOS管(M11n)、PMOS管(M12p)、PMOS管(M12n)、PMOS管(M13p)、PMOS管(M13n)、PMOS管(M14p)、PMOS管(M14n)；

所述PMOS管(M02p)和PMOS管(M02n)的栅极为差分输入信号的输入端，PMOS管(M02p)和PMOS管(M02n)的源极连接PMOS管(M01)的漏极；

所述PMOS管(M11p)和PMOS管(M11n)的栅极连接，PMOS管(M12p)和PMOS管(M12n)的栅极连接，PMOS管(M13p)和PMOS管(M13n)的栅极连接，PMOS管(M14p)和PMOS管(M14n)的栅极连接；

所述PMOS管(M11p)、PMOS管(M11n)的源极通过开关S11连接外部电源；PMOS管(M01)的源极连接外部电源，所述PMOS管(M01)的栅极连接偏置电压；

所述PMOS管(M11p)的漏极连接PMOS管(M12p)的源极，PMOS管(M12p)的漏极连接PMOS管(M13p)的漏极，所述PMOS管(M13p)的源极连接PMOS管(M14p)的漏极，所述PMOS管(M11n)的漏极连接PMOS管(M12n)的源极，PMOS管(M12n)的漏极连接PMOS管(M13n)的漏极，所述PMOS管(M13n)的源极连接PMOS管(M14n)的漏极；

所述PMOS管(M14p)的漏极和PMOS管(M13p)的源极连接PMOS管(M02p)的漏极，所述PMOS管(M14n)的漏极和PMOS管(M13n)的源极分别连接PMOS管(M02n)的漏极；

所述PMOS管(M14p)和PMOS管(M14n)的源极通过开关S12接地。

3.根据权利要求2所述的带运放摆率预测功能的超低功耗模数转换器，其特征在于：所述可调输出级电流模块包括PMOS管(M21p)、PMOS管(M21n)、PMOS管(M22p)、PMOS管(M22n)、PMOS管(M23p)、PMOS管(M23n)、PMOS管(M24p)、PMOS管(M24n)；

所述PMOS管(M21p)和PMOS管(M21n)的栅极连接，PMOS管(M22p)和PMOS管(M22n)的栅极连接，PMOS管(M23p)和PMOS管(M23n)的栅极连接，PMOS管(M24p)和PMOS管(M24n)的栅极连接；

所述PMOS管(M21p)、PMOS管(M21n)的源极通过开关S21连接外部电源；

所述PMOS管(M21p)的漏极连接PMOS管(M22p)的源极，PMOS管(M22p)的漏极连接PMOS管(M23p)的漏极，所述PMOS管(M23p)的源极连接PMOS管(M24p)的漏极，所述PMOS管(M21n)的漏极连接PMOS管(M22n)的源极，PMOS管(M22n)的漏极连接PMOS管(M23n)的漏极，所述PMOS管(M23n)的源极连接PMOS管(M24n)的漏极；

所述PMOS管(M22p)的漏极和PMOS管(M23p)的漏极通过开关S23与PMOS管(M12p)的漏极和PMOS管(M13p)的漏极连接，所述PMOS管(M23n)的漏极和PMOS管(M22n)的漏极通过开关S23分别与PMOS管(M12n)的漏极和PMOS管(M13n)的漏极连接；

所述PMOS管(M24p)和PMOS管(M24n)的源极通过开关S22接地。

4.根据权利要求3所述的带运放摆率预测功能的超低功耗模数转换器，其特征在于：所述可调输出级电流模块为1个。

5.根据权利要求4所述的带运放摆率预测功能的超低功耗模数转换器，其特征在于：所述摆率预测电路为数字逻辑电路，通过控制开关S11、S12、S21、S22以及S23的闭合来控制电流输出级。