[发明专利]一种废旧电路板贵金属的高效生物浸出方法与装置有效
申请号: | 201710175581.6 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107119194B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 阮菊俊;袁志辉;黄哲;黄佳欣;仇荣亮 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C22B11/00 | 分类号: | C22B11/00;C22B7/00;C22B3/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 废旧 电路板 贵金属 高效 生物 浸出 方法 装置 | ||
1.一种废旧电路板贵金属的高效生物浸出方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.培养产CN-菌:将产CN-菌菌种培养至对数生长期,然后接入培养罐中进行生产,并通入无菌空气;
S2.吸收捕集HCN:控制培养温度为28~30℃、pH值为6.8~7.2以及通气强度,使产CN-菌生成的代谢产物CN-水解生成HCN,将包含HCN的混合气体导入到氢氧化钠溶液中,反应生成浸出剂溶液;
S3.浸出贵金属:将经破碎、分选得到的废旧电路板贵金属富集体加入到浸出剂溶液中,进行贵金属浸出。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S1所述产CN-菌培养方式为补料分批培养。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S1中培养产CN-菌所用的培养基为添加甘氨酸和FeCl3的低盐LB培养基,甘氨酸含量为0.5~5 mg/L,FeCl3含量为0.01~0.03 mM,pH为6.5~7.8。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述产CN-生产用菌包括荧光假单胞菌(
5.一种实施如权利 要求1所述的废旧电路板贵金属的高效生物浸出方法的装置,其特征在于,包括产CN-菌培养装置,HCN吸收捕集装置和贵金属高效浸出装置;所述产CN-菌培养装置由供气系统(1)、初培养罐(3)和培养罐(4)组成,供气系统(1)通过管道与培养罐(4)下部相连,初培养罐(3)通过管道与培养罐(4)相连,培养罐(4)上设置有传感器(5)、温度控制单元(6)以及pH调节单元(7);所述HCN吸收捕集装置由多级串联的吸收罐(8)组成;所述贵金属高效浸出装置由金属浸出反应器(15)和氧化剂储罐(14)组成,氧化剂储罐(14)通过管道与金属浸出反应器通(15)相连,贵金属浸出反应器通(15)上设置有加料口;所述培养罐(4)与吸收罐(8)通过管道相连,吸收罐(8)与金属浸出反应器(15)通过管道相连。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,培养罐(4)上连接有培养基储罐(2)。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述吸收罐(8)与金属浸出反应器(15)之间的管道上设置有泵。
8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述培养罐(4)、吸收罐(8)及贵金属浸出反应器(15)都具备搅拌混匀功能。
9.根据权利要求5所述装置,其特张在于,所述培养罐(4)的底部设置有菌液出口(16)。
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