[发明专利]喷墨头驱动电路

说明书

本发明提供喷墨头驱动电路。喷墨头驱动电路具备：多个PMOS晶体管，具有N阱区域、漏极端子及源极端子，与使墨液从喷嘴喷出的压电元件连接；及NMOS晶体管，与所述多个PMOS晶体管的所述漏极端子连接。所述多个PMOS晶体管的源极端子及N阱区域与多个电源分别连接，与各PMOS晶体管的N阱区域连接的一个电源的电压为与所述多个PMOS晶体管的源极端子连接的所述多个电源的最高电压以上。

技术领域

本技术涉及对喷墨头的喷嘴的驱动进行控制的喷墨头驱动电路。

背景技术

近年来，为了能够进行高画质且高速的打印，使用采用了高密度地配置有多个喷嘴的喷墨头的打印机。

在喷墨头中，为了对作为静电电容的压电元件进行充放电，以往提出了使用CMOS电路的喷墨头驱动电路。CMOS电路具备NMOS晶体管和PMOS晶体管。为了防止在压电元件放电时电流从PMOS晶体管的漏极向N阱区域逆流，将具有比与PMOS晶体管的源极连接的电源电压高的电压的电源连接于N阱区域。

发明内容

发明要解决的课题

压电元件对于多个喷嘴分别设置。压电元件的特性(例如施加了规定的电压时的位移量)根据每个压电元件而不同。为了实现来自多个喷嘴的墨液的喷出量及喷出速度的均匀化，可考虑对于一个压电元件使用能够施加不同的电压的多个电源。

然而，在对压电元件使用多个电源的情况下，CMOS电路具备一个NMOS晶体管和多个PMOS晶体管。在多个PMOS晶体管分别设有用于防止电流的逆流的高电压电源的情况下，结构变得复杂，而且制造费用高涨。

本实施例鉴于这样的情况而作出，目的在于提供一种即使在具有不同电压的多个电源连接有多个PMOS晶体管的情况下，也能够通过简单的结构来设置用于防止电流的逆流的高电压电源，并能够抑制制造费用的喷墨头驱动电路。

用于解决课题的方案

根据本发明的第一形态，提供一种喷墨头驱动电路，具备：

多个PMOS晶体管，具有N阱区域、漏极端子及源极端子，与使墨液从喷嘴喷出的压电元件连接；及

NMOS晶体管，与所述多个PMOS晶体管的所述漏极端子连接，

所述多个PMOS晶体管的源极端子及N阱区域与多个电源分别连接，

与各PMOS晶体管的N阱区域连接的一个电源的电压为与所述多个PMOS晶体管的源极端子连接的所述多个电源的最高电压以上。

根据本发明的第一形态，与各PMOS晶体管的N阱区域连接的一个电源的电压为与所述多个PMOS晶体管的源极端子连接的所述多个电源的最高电压以上。因此，与将用于防止电流的逆流的高电压电源分别设于多个PMOS晶体管的情况相比，能够以简单的结构防止电流从PMOS晶体管的漏极向N阱区域逆流。

在本发明的第一形态的喷墨头驱动电路中，可以是，所述一个电源的电压与所述多个电源的最高电压相等。

在本发明的第一形态的喷墨头驱动电路中，可以是，与各PMOS晶体管的N阱区域连接的所述一个电源连接于所述多个PMOS晶体管的源极端子中的至少一者。

在本发明的第一形态的喷墨头驱动电路的所述多个电源的电压中，可以是，所述最高电压与比该最高电压低一级的电压之间的电压差大于除了所述最高电压之外的规定电压与比该规定电压低一级的其他电压之间的电压差。

在本发明的第一形态的喷墨头驱动电路中，可以是，所述一个电源的电压比所述多个电源的最高电压高。

在本发明的第一形态的喷墨头驱动电路中，可以是，与各PMOS晶体管的N阱区域连接的所述一个电源未连接于所述多个PMOS晶体管的源极端子。