[发明专利]补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法有效
申请号: | 201710170252.2 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN106773555B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 张煜;郑海昌;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 补偿 光刻 镜头 散射 导致 曝光 误差 方法 | ||
1.一种补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:提供一掩模板和测试硅片,将其使用光刻机曝光,所述掩模板上划分若干个曝光区域,每个曝光区域在至少在同一方向上具有至少两个重复图形;
步骤二:在同一方向上,对每个曝光区域内所有的重复图形进行特征尺寸量测;
步骤三:根据步骤二的量测结果,计算出每个曝光区域内选定特征尺寸量测值的平均值;
步骤四:根据步骤三的计算结果,计算每个曝光区域内选定特征尺寸量测值的平均值补偿到该曝光区域内实时曝光时曝光剂量的补偿量,然后计算出每个曝光区域内实时曝光时的曝光剂量,在实时曝光时,使用计算出的曝光剂量进行曝光。
2.如权利要求1所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,在光刻机中定义光刻机扫描的方向为扫描向,在水平面上与扫描向正交的方向为非扫描向,每个曝光区域至少在非扫描向上具有至少两个重复图形。
3.如权利要求1所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,步骤一中所述的光刻机为浸没式光刻机或Arf 193nm光刻机或Krf 248nm深亚微米光刻机。
4.如权利要求1所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,步骤二中使用扫描电镜来量测特征尺寸。
5.如权利要求1所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,所述测试硅片为裸硅片。
6.如权利要求5所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,所述裸硅片为8英寸或12英寸或18英寸。
7.如权利要求1所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,步骤四中该曝光区域内实时曝光时曝光剂量的补偿量包括该曝光区域内每个产品特征尺寸量测点所在的区域实时曝光时曝光剂量的补偿量,其计算方法为:先计算出步骤二中每个产品特征尺寸量测点的特征尺寸量测值与该曝光区域内选定特征尺寸量测值的平均值的差值,将所述差值除以能量补偿系数R即可,所述能量补偿系数R通过该曝光区域内的能量梯度计算得到。
8.如权利要求7所述的补偿由光刻镜头散射光导致曝光误差的方法,其特征在于,步骤四中实时曝光时曝光剂量包括该曝光区域内每个产品特征尺寸量测点所在的区域的曝光剂量,其为每个产品特征尺寸量测点所在的区域对应的原始曝光剂量与实时曝光剂量的补偿量之和。
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