[发明专利]栅极驱动电路

说明书

本申请公开了一种移位寄存器单元电路，包括输入存储模块，被配置为在输入端接收输入信号并存储所述输入信号；存储提取模块，被配置为至少在在第一时钟信号的控制下从所述输入存储模块提取所述输入信号；输出驱动模块，被配置为在所述存储提取模块的控制下将所述输入信号传输到输出端；以及下拉和维持模块，被配置为在输出结束后将所述输出端的电压下拉到低电平并在所述输出驱动模块接收到下一个输入信号之前将所述输出端电压维持在低电平。本申请还公开了包括前述移位寄存器单元的栅极驱动电路以及产生栅极驱动信号的方法。

技术领域

本申请涉及有源矩阵显示技术领域，更具体地，涉及一种栅极驱动电路。

背景技术

随着显示器向高分辨率、窄边框方向发展，集成驱动电路的显示器成为了显示器驱动领域研究的热点。当前，薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)已经被应用于显示器的制造之中，运用TFT技术来实现显示器的驱动电路可以减少外围驱动芯片的数量和简化工艺流程，从而降低成本；能够提高模组的集成度，增强机械可靠性，以便于制造质量轻，厚度薄的窄边框甚至无边框的显示器。集成驱动电路的显示技术的研究，最终目标是实现屏上全集成系统(System on Panel,SOP)。

栅极驱动电路的集成最早得到了学者研究和产业化应用。实现集成栅极驱动电路的TFT技术主要分为三种:氢化非晶硅TFT，低温多晶硅TFT和氧化物TFT。氢化非晶硅TFT是显示领域中主流的TFT技术，但其迁移率低，主要应用于分辨率较低的显示器中，低温多晶硅TFT是一种新兴的TFT技术，其迁移率高但均匀性差，主要应用在小尺寸高分辨率的显示器中，而氧化物TFT则被认为是下一代TFT技术，其迁移率高均匀性好，制造工艺与非晶硅兼容，适合应用于高分辨率的显示器中。这些TFT技术的发展，也推动了显示器不断接近SOP目标的实现。

发明内容

本申请提供了一种开关电容电压自举电路作为高稳定性、低功耗的移位寄存器单元，并利用包含就这种单元的移位寄存器单元实现栅极驱动电路以及显示器的设计。

本申请提供了一种移位寄存器单元电路，包括输入存储模块，被配置为在输入端接收输入信号并存储所述输入信号；存储提取模块，被配置为至少在第一时钟信号的影响下从所述输入存储模块提取所述输入信号；输出驱动模块，被配置为在所述存储提取模块的控制下将所述输入信号传输到输出端；以及下拉和维持模块，被配置为在输出结束后将所述输出端的电压下拉到低电平并在所述输出驱动模块接收到下一个输入信号之前将所述输出端电压维持在低电平。

特别的，所述输入存储模块包括，存储电容被配置为存储所述输入信号，所述存储电容的第一端通过第一开关与所述输入端耦接，第二端通过第二开关与低电平耦接，所述第一开关和第二开关在所述输入信号的控制下开启或关闭；所述输出驱动模块包括，第一晶体管，所述第一晶体管包括与高电平耦接的第一极，以及与所述输出端和所述下拉和维持模块耦接的第二极，以及与所述存储提取模块耦接的第三极；所述存储提取模块包括，耦接在所述存储电容第一端以及所述第一晶体管第三极之间的第三开关，以及耦接在所述存储电容第二端以及所述输出端之间的第四开关，其中，所述第一时钟信号影响所述第三和第四开关的开关状态。

特别的，所述输出驱动模块还包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极耦接到高电平，第二极耦接到第二输出端，第三极耦接到所述第一晶体管的第三极，其中所述第一晶体管的尺寸大于所述第二晶体管的尺寸。

特别的，所述第一开关是第三晶体管，包括耦接到所述输入端的第一极和第三极，以及耦接到所述存储电容第一端的第二极；所述第二开关是第四晶体管，包括耦接到所述存储电容第二端的第一极，耦接到低电平的第二极，和耦接到所述输入端的第三极，当所述输入信号为高电平时，所述第一和第二开关开启，所述存储电容充电。