[发明专利]一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台

说明书

技术领域

本发明涉及一种固态存储产品开发平台，特别是涉及一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台。

背景技术

固态存储器是以NAND FLASH芯片为存储介质的存储设备，相对于传统机械硬盘因其数据存取速度快、低功耗、防震、体积小、无噪音等优点在航空、航天、兵器、船舶等军工领域得到广泛应用。

固态存储产品目前国际上标准的接口包括ISA(IDE)、USB(2.0、3.0)、SATA(2.0、3.0)、PCI、PCIe等等，其存储结构、存取速度、存储容量等性能各不相同，所用的计算资源和存取方法也有很大的差别，目前国内尚无相关的固态盘产品开发平台，与国际上的固态存储产品开发平台相比，现有的固态存储产品开发平台存在协议接口单一、逻辑资源少、支持NAND FLASH阵列规模小、外围电路设计复杂等缺点，难以满足固态存储产品的接口多样性、存储介质多品种以及高性能固态存储器需求。

发明内容

为了克服现有固态存储产品开发平台实用性差的不足，本发明提供一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台。该固态存储产品开发平台包括多物理接口模块、多协议处理模块、嵌入式处理内核、并行多通道存储控制器、存储芯片阵列、高速缓存控制器、高速缓存、电源模块、配置与调试模块和快速擦除及物理销毁模块。本发明具有丰富的逻辑可配置功能、多通道并行控制器、高速大容量缓存以及存储芯片阵列，灵活的物理接口选择，可完成多种协议接口固态存储产品的开发，可开展固态存储产品的关键技术研究与验证，并且具有快速擦除和物理销毁NAND FLASH存储介质的功能，能够为自主可控的国产化固态存储产品的研发提供技术手段，实用性好。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种多接口高速大容量固态存储产品开发平台，其特点是包括多物理接口模块、多协议处理模块、嵌入式处理内核、并行多通道存储控制器、存储芯片阵列、高速缓存控制器、高速缓存、电源模块、配置与调试模块和快速擦除及物理销毁模块。多物理接口模块、多协议处理模块用于满足不同物理接口及存储协议要求；嵌入式处理内核完成内部存储机制的调度，执行存储介质的坏块管理、损耗均衡和垃圾回收这些介质管理算法；并行多通道存储控制器完成对存储芯片阵列的底层读写操作的控制；所述存储芯片阵列是固态存储器的存储介质；高速缓存控制器完成高速缓存的读写操作控制；高速缓存由多个缓存体构成，容量达到8GB，作为主机与存储芯片阵列的数据缓存；电源模块为固态存储产品开发平台供电；配置与调试模块用于固态存储产品开发平台的调试及接口配置；快速擦除及物理销毁模块在固态存储产品开发平台启动后对存储芯片阵列执行快速全盘擦除及物理销毁存储介质操作。

本发明的有益效果是：该固态存储产品开发平台包括多物理接口模块、多协议处理模块、嵌入式处理内核、并行多通道存储控制器、存储芯片阵列、高速缓存控制器、高速缓存、电源模块、配置与调试模块和快速擦除及物理销毁模块。本发明具有丰富的逻辑可配置功能、多通道并行控制器、高速大容量缓存以及存储芯片阵列，灵活的物理接口选择，可完成多种协议接口固态存储产品的开发，可开展固态存储产品的关键技术研究与验证，并且具有快速擦除和物理销毁NAND FLASH存储介质的功能，能够为自主可控的国产化固态存储产品的研发提供技术手段，实用性好。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细说明。

附图说明

图1是本发明多接口高速大容量固态存储产品开发平台的方框图。

具体实施方式

以下实施例参照图1。

本发明多接口高速大容量固态存储产品开发平台包括多物理接口模块、多协议处理模块、嵌入式处理内核、并行多通道存储控制器、存储芯片阵列、高速缓存控制器、高速缓存、电源模块、配置与调试模块和快速擦除及物理销毁模块。多物理接口模块、多协议处理模块用于满足不同物理接口及存储协议要求；嵌入式处理内核完成内部存储机制的调度，执行存储介质的坏块管理、损耗均衡和垃圾回收这些介质管理算法；并行多通道存储控制器完成对存储芯片阵列的底层读写操作的控制；所述存储芯片阵列是固态存储器的存储介质；高速缓存控制器完成高速缓存的读写操作控制；高速缓存由多个缓存体构成，容量达到8GB，作为主机与存储芯片阵列的数据缓存；电源模块为固态存储产品开发平台供电；配置与调试模块用于固态存储产品开发平台的调试及接口配置；快速擦除及物理销毁模块在固态存储产品开发平台启动后对存储芯片阵列执行快速全盘擦除及物理销毁存储介质操作。