[发明专利]一种供电电路及电路供电系统

权利要求书

1.一种供电电路，其特征在于，该电路包括：

分别设置于被供电电路的多个子区域内的多个参考电压产生电路，用于产生与被供电电路的多个子区域对应的多个参考电压信号；

驱动电路，基于多个参考电压信号中最大的电压信号，输出用于为被供电电路供电的电压；

每个参考电压产生电路感应其对应的被供电电路的子区域；

所述感应为在被供电电路的子区域内设置与被供电电路的特性参数相匹配的电器元件；所述特性参数包括温度和/或阈值电压。

2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，设置在被供电电路多个子区域内的参考电压产生电路的结构完全相同。

3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述驱动电路独立于参考电压产生电路，并设置在被供电电路外部。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的供电电路，其特征在于，所述参考电压产生电路包括：电流源、第一PMOS管和第一NMOS管；

所述电流源的一端与电源连接，其另一端与第一PMOS管的源极连接；

所述第一PMOS管的栅极与其漏极连接；

所述第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极与其漏极连接，所述第一NMOS管的源极接地；

所述电流源与第一PMOS管的连接点作为所述参考电压产生电路的参考电压信号输出端；或，

所述参考电压产生电路包括：电阻、第二PMOS管和第二NMOS管；

所述电阻的一端与电源连接，其另一端与第二PMOS管的源极连接；

所述第二PMOS管的栅极与其漏极连接；

所述第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与其漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地；

所述电阻与第二PMOS管的连接点作为所述参考电压产生电路的参考电压信号输出端；或，

所述参考电压产生电路包括：电流源和第三NMOS管；

所述电流源的一端与电源连接，其另一端与第三NMOS管的漏极连接；

所述第三NMOS管的栅极与其漏极连接，所述第三NMOS管的源极接地；或，

所述参考电压产生电路包括：电流源和第三PMOS管；

所述电流源的一端与电源连接，其另一端与第三PMOS管的源极连接；

所述第三PMOS管的栅极与其漏极连接，所述第三PMOS管的漏极接地。

5.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述驱动电路包括：

选择模块，在至少一个参考电压信号中选择最大的电压信号输出；

控制模块，对选择模块输出的电压进行负反馈控制，输出优化后的供电电压。

6.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于，

所述选择模块采用最大值选择器；

所述控制模块采用运算放大器；所述运算放大器的第一输入端与选择模块连接，所述运算放大器的输出端与其第二输入端连接；

所述运算放大器的输出端作为驱动电路的供电电压输出端。

7.根据权利要求6所述的供电电路，其特征在于，所述驱动电路进一步包括：连接在运算放大器输出端和运算放大器第二输入端之间的功率级。