[发明专利]用于低维量子结构的光电测量装置在审
| 申请号： | 201710140647.8 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108572028A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李阳锋;陈弘;江洋;贾海强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J1/04 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低维量子结构 光学会聚装置 单色仪 光电测量装置 荧光 会聚 连续光谱 单色光 光电流 光源 测量 电流测量装置 光电倍增管 波长激发 依次布置 荧光转换 光激发 发射 激发 | ||
1.一种用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，包括：
光源，其用于发射连续光谱；
在所述光源和低维量子结构之间的光路上依次布置的第一单色仪和第一光学会聚装置，所述第一单色仪用于从所述连续光谱中分离出单色光，所述第一光学会聚装置用于会聚所述单色光；
第二光学会聚装置，其用于会聚所述低维量子结构激发的荧光；
第二单色仪，其用于接收经所述第二光学会聚装置会聚的荧光；
光电倍增管，其用于将所述第二单色仪分离的荧光转换成对应的电信号；
电流测量装置，其用于测量所述低维量子结构中的光电流。
2.根据权利要求1所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述光电测量装置还包括设置在所述第一单色仪和第一光学会聚装置之间的第三光学会聚装置。
3.根据权利要求2所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述第三光学会聚装置的焦点与所述第一单色仪的出射小孔重合。
4.根据权利要求2所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述光电测量装置还包括设置在所述低维量子结构和所述第二光学会聚装置之间的第四光学会聚装置。
5.根据权利要求4所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述第四光学会聚装置与所述低维量子结构相对设置，且其光轴垂直于所述低维量子结构。
6.根据权利要求5所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述第四光学会聚装置的焦点位于所述低维量子结构的表面。
7.根据权利要求4所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述第一至第四光学会聚装置为凸透镜。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述光电测量装置还包括：
设置在所述第一单色仪和所述低维量子结构之间的光路上的光学斩波器，以及
通过同轴电缆与所述光电倍增管的输出端连接的锁相放大器。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述低维量子结构位于所述第一光学会聚装置的焦点处。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的用于低维量子结构的光电测量装置，其特征在于，所述第二光学会聚装置的焦点与所述第二单色仪的入射小孔重合。
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