[发明专利]一种基于二硒化钼的光纤湿度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二硒化钼的光纤湿度传感器，其特征在于，包括侧边抛磨光纤、二硒化钼膜层，所述侧边抛磨光纤包括包层和纤芯，所述包层经部分抛磨处理成一抛磨面，所述二硒化钼膜层沉积在所述侧边抛磨光纤的抛磨面上；所述二硒化钼膜的层数为多层，所述二硒化钼膜层的厚度为50nm～500nm；

所述二硒化钼的制备方法为：

使用UV胶把所述侧边抛磨光纤部分固定在玻片上，抛磨面朝上，然后使用UV胶做一个围绕抛磨面的槽，把二硒化钼分散液滴到槽中，放置于室温中，所述二硒化钼分散液由片状大小为10nm～100nm的二硒化钼纳米片均匀分散于溶剂中制成，所述溶剂为水和酒精，等到所述二硒化钼分散液中的水和酒精自然蒸发，即在所述抛磨面上形成二硒化钼膜层；

所述二硒化钼分散液浓度为0.5 ~10mg/ml。

2.根据权利要求1所述基于二硒化钼的光纤湿度传感器，其特征在于，所述侧边抛磨光纤为单模光纤，所述抛磨面厚度为61μm～70μm，抛磨面长度为5mm～ 30mm。

3.根据权利要求1所述基于二硒化钼的光纤湿度传感器，其特征在于，所述侧边抛磨光纤为多模光纤，所述抛磨面与所述纤芯间距离为l.5μm～5μm，或将所述纤芯抛磨掉一部分。

4.一种权利要求1至3任一项所述基于二硒化钼的光纤湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

Sl. 制备侧边抛磨光纤：通过抛磨，把光纤的一部分包层或连同一部分纤芯抛磨掉，在光纤表面形成一定长度的平坦区域即抛磨面，得到侧边抛磨光纤；

S2. 采用二硒化钼分散液在所述侧边抛磨光纤的抛磨面沉积二硒化钼膜层。

5.根据权利要求4所述基于二硒化钼的光纤湿度传感器的制备方法，其特征在于，所述围绕抛磨面的槽大小为2×0.5×0.1cm³ ~4.5×2×0. 5cm³。