[发明专利]基于APC和恒温智能控制的激光半导体物证发现装置

权利要求书

1.基于APC和恒温智能控制的激光半导体物证发现装置，包括同轴分布且顺序套接的光学透镜组合结构、散热机构、控制系统仓和电池安装仓，其特征在于，所述控制系统仓内设置多路输出驱动控制系统，多路输出驱动控制系统包括用于输出稳定光的自动功率控制驱动电路和用于防止激光波长漂移的智能恒温控制半导体制冷器电路；

所述自动功率控制驱动电路包括顺序电连接的直流电源(100)、第一比较器(101)、电容充放模块(102)、恒流源模块(103)、激光二极管(LD)、用于检测所述激光二极管(LD)输出光功率的光电二极管(PD)和反馈回路模块(105)，反馈回路模块(105)的输出端连接第一比较器(101)的输入端构成闭合环路，通过负反馈机制稳定激光二极管(LD)的发光功率从而输出稳定光；

所述恒流源模块包括第一运算放大器、第二运算放大器、第一三极管、第二三极管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容以及稳压二极管；

第一运算放大器，其正相输入端连接所述电容充放模块的输出端作为所述恒流源模块的输入端，其反相输入端连接第一电容的第一端，第一电容的第二端连接所述第一运算放大器的输出端，其输出端通过第一电阻连接第一三极管的控制端；第一三极管的控制端连接稳压二极管的阳极，稳压二极管的阴极连接第一二极管的阴极，第一二极管的阳极连接所述第一运算放大器的反相输入端；

第一三极管，其高电位端连接电源端，其低电位端通过一用于分压的第二电阻连接所述激光二极管作为所述恒流源模块的输出端；

第二三极管，其高电位端连接所述稳压二极管的阴极，其低电位端接地，其控制端连接第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接第二二极管的阳极，第二二极管的阴极连接所述第一运算放大器的反相输入端；

第二运算放大器，其正相输入端与第三电阻的第一端连接，其反相输入端分别与第三电阻的第二端连接和第四电阻的第一端连接，第四电阻的第二端与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第二运算放大器的输出端通过一用于保护功能的第五电阻与所述第一运算放大器的反相输入端连接，用于检测所述恒流源模块的输出端电流。

2.如权利要求1所述的基于APC和恒温智能控制的激光半导体物证发现装置，其特征在于，所述反馈回路模块包括电流检测芯片、第三运算放大器、第四运算放大器、第六电阻和第七电阻，所述光电二极管的输出端作为电流检测芯片的输入端，电流检测芯片的输出端连接第三运算放大器的正相输入端，第三运算放大器的反相输入端连接其输出端，第三运算放大器的输出端连接第四运算放大器的反相输入端，第四运算放大器的正相输入端通过第六电阻连接第四运算放大器的输出端，第四运算放大器的正相输入端通过第七电阻接地，第四运算放大器的输出端作为所述第一比较器的输入端。

3.如权利要求1所述的基于APC和恒温智能控制的激光半导体物证发现装置，其特征在于，所述多路输出驱动控制系统还包括缓启动渐亮驱动电路，用于防止误操作瞬间启动所述激光二极管发光，

缓启动渐亮驱动电路设置在所述直流电源和所述第一比较器之间，所述直流电源的输出端连接缓启动渐亮驱动电路的输入端，缓启动渐亮驱动电路的输出端连接所述第一比较器的输入端。

4.如权利要求3所述的基于APC和恒温智能控制的激光半导体物证发现装置，其特征在于，所述缓启动渐亮驱动电路包括顺次连接的第一π型滤波电路、延时网络电路和第二π型滤波电路；

所述延时网络电路包括并联三极管、第八电阻、第四电容、第五电容、第八电容、第三电解电容和第九电解电容；所述第一π型滤波电路的输出端作为所述延时网络电路的输入端，所述延时网络电路的输入端连接所述第八电阻的第一端，第八电阻的第二端通过所述第三电解电容接地，第八电阻的第二端连接所述第三电解电容的阳极；所述延时网络电路的输入端连接所述并联三极管的集电极，所述并联三极管的基极通过第五电容接地，所述并联三极管的基极和第五电容之间的公共端，通过所述第四电容连接第八电阻的第二端和所述第三电解电容的阳极之间的公共端，所述并联三极管的发射极通过所述第九电解电容接地，所述并联三极管的发射极与所述第九电解电容的阳极连接，所述并联三极管的发射极通过所述第八电容作为所述延时网络电路的输出端。