[发明专利]用于保护集成电路的方法以及相应的集成电路

说明书

公开了用于保护集成电路的方法以及相应的集成电路。一种集成电子电路，所述集成电子电路包括：保护设备(DEV)，所述保护设备包括在所述集成电子电路的互连部分(INT)中产生的金属屏蔽层(SHLD)；以及检测装置(3)，所述检测装置包括所述金属屏蔽层(SHLD)并且被配置成用于检测表示故障注入攻击的外部电磁辐射的存在。

技术领域

本发明的实施方式和实施例涉及集成电路，并且更具体地涉及保护集成电路免受故障注入攻击(根据本领域技术人员所熟知的术语DFA，“差分故障分析”)，并且最具体地免受借助于外部电磁辐射进行的故障注入攻击。

背景技术

在本领域技术人员已知的攻击类型中，可以列举通过探测进行的攻击，这要求将探针插入电路的互连部分以便读取由各个部件发射的电信号，并且然后对它们进行分析以便获得关于操作电路的信息。

为了保护自身免受这种类型的攻击，常规地可能将保护屏蔽层放置在电路的互连部分的上部区域中。所述屏蔽层常规地包括金属迹线，使电信号在金属迹线中流动。因此，在插入读取探针时，金属迹线受损，并且所述信号可能不再在所述屏蔽层中流动。因此所述电路可以检测到入侵，并且例如生成报警信号从而采取适当的动作。

另一种已知的攻击类型是故障注入攻击，这包括在例如借助于生成电磁辐射的电磁注入线圈来注入故障，其方式为使得修改例如运算的临时结果的一个或多个位的值而不损伤电路的物理完整性。

响应于这些注入而分析所述电路的特性可以使得获得安全信息(如，例如，密钥)成为可能。

存在用于保护自身免受这种类型攻击的手段，如例如，包括对所执行的运算进行多次验证的加密运算。

然而，这些方案可以通过更复杂的故障注入方案(如例如，双重故障注入攻击)来克服。

发明内容

因此，根据实施例，提出了使用硬件并以简单的方式来保护集成电路免受电磁故障注入攻击。

根据一方面，提出了一种用于保护集成电路免受借助于外部电磁辐射进行的故障注入攻击的方法，所述集成电路包括在其互连部分产生的金属屏蔽层。

根据这方面的一般特性，所述方法包括：经由所述金属屏蔽层来检测所述电磁辐射。

因此，一般为保护免受探测攻击而存在的屏蔽层有利地用于检测易于生成到电路内的故障注入的电磁场。

根据一种实施方式，所述检测包括：将所述屏蔽层置于接收天线配置中；以及检测大于在所述屏蔽层中流动的阈值的至少一个信号。

易于生成故障注入的电磁场实际上是具有大于阈值的强度的场，这表现为大于屏蔽层中的阈值的信号的流动。

并且这一阈值(其取决于每个电路)例如可在对集成电路进行表征的阶段期间借助于能够生成具有可调值的测试电磁辐射的测试电磁注入线圈确定的。

可以实现对所述检测的灵敏度的调整，所述调整包括将可变电阻器连接至金属屏蔽层。

在所述检测之前，可以对金属屏蔽层的完整性进行验证，所述验证包括检查屏蔽层中电流流动的可能的中断。

根据另一方面，提出了一种集成电路，所述集成电路包括保护设备，所述保护设备包括在所述集成电路的互连部分中产生的金属屏蔽层。

根据此另一方面的一般特性，所述电路包括检测装置，所述检测装置包括金属屏蔽层并且被配置成用于检测表示故障注入攻击的外部电磁辐射的存在。

表示故障注入攻击的电磁场常规地对应于振幅达到或超过预定阈值的电磁脉冲，这可能从一个电路到另一个电路而改变。