[发明专利]一种基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路

权利要求书

1.一种基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，包括压控阻抗VCI变换电路和压控电压电路；所述压控电压电路包括场效应晶体管Q2、运算放大器U1A和运算放大器U2A；场效应晶体管Q2的漏极与输入电压V2连接，场效应晶体管Q2的源极与运算放大器U1A的反向输入端连接；输入电压V1通过电阻与运算放大器U1A的反向输入端连接，运算放大器U1A的同相输入端接地；场效应晶体管Q2的栅极和场效应晶体管Q2的漏极之间连接有电阻R1，场效应晶体管Q2的栅极通过电阻R2与运算放大器U1A的输出端连接；运算放大器U1A的输出端与运算放大器U2A的同相输入端连接；运算放大器U2A的反向输入端与运算放大器U2A的输出端连接构成电压跟随器；所述压控阻抗VCI变换电路包括运算放大器U1、运算放大器U2、运算放大器U3、场效应晶体管Q1、负载Z1和负载Z2；场效应晶体管Q1的漏极与运算放大器U2的反向输入端连接，场效应晶体管Q1的源极与两个串联的电阻R8、R9连接；运算放大器U3的同向输入端连接在电阻R8和电阻R9之间，运算放大器U3的反向输入端通过电阻R4接地，运算放大器U3的输出端通过电阻R3与运算放大器U3的反向输入端连接，运算放大器U3的输出端通过电阻R6与场效应晶体管Q1的栅极连接；场效应晶体管Q1的栅极通过电阻R7连接输入电压Vc；场效应晶体管Q1的漏极与运算放大器U1的正向输入端连接；场效应晶体管Q1的源极与运算放大器U1的输出端连接；场效应晶体管Q2的输出端连接在负载Z1和负载Z2之间。

2.根据权利要求1所述的基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，所述压控阻抗VCI变换电路包括GIC基本电路和消除线性扩展动态范围电路。

3.根据权利要求2所述的基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，所述GIC基本电路包括运算放大器U1、运算放大器U2；运算放大器U1的反向输入端与运算放大器U2的反向输入端连接；运算放大器U1的同相输入端连接输入信号；运算放大器U2的同相输入端通过负载Z5接地；运算放大器U1的输出电压反馈到运算放大器U2的输入端，运算放大器U2的输出电压反馈到运算放大器U1的输入端；所述消除线性扩展动态范围电路，包括场效应晶体管Q1、运算放大器U3和运算放大器U4；场效应晶体管Q1的栅极通过电阻与运算放大器U4的输出端连接；运算放大器U4的输出端通过电阻与运算放大器U3的同向输入端连接；场效应晶体管Q1的源极同时与运算放大器U3的输出端和反向输入端连接；运算放大器U4的同向输入端与场效应晶体管Q1的漏极连接；运算放大器U4的反向输入端通过电阻接地。

4.根据权利要求1所述的基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2为相同规格、相同参数的场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，所述压控阻抗VCI变换电路的等效阻抗其中，Z1是负载Z1的阻抗，Z2是负载Z2的阻抗；R_DS是场效应晶体管Q1漏极和源极之间的等效电阻，V_P是场效应晶体管Q1的夹断电压，I_DSS是场效应晶体管Q1的饱和漏电流，V_C是场效应晶体管Q1的输入电压，

6.根据权利要求1所述的基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路，其特征在于，所述基于JFET的压控浮地线性连续可调电阻电路的等效电阻其中，Z₁是负载Z₁的阻抗，Z₂是负载Z₂的阻抗；V₁、V₂是压控电压电路的输入电压；R是压控电压电路的输入电阻。