[发明专利]基于VR技术和SSVEP的可穿戴设备及脑电采集系统在审

专利信息
申请号: 201710127765.5 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN106859645A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 杨积升;杜玉晓;王灵松;何樱汶;欧幸源 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: A61B5/0484 分类号: A61B5/0484
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 510062 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 vr 技术 ssvep 穿戴 设备 采集 系统
【权利要求书】:

1.一种基于VR技术和SSVEP的可穿戴设备,其特征在于,包括:

VR眼镜,用于接收外部投射的SSVEP刺激范式,向受试者显示刺激界面;

设置于所述VR眼镜上的信号采集模块、信号处理模块及电源模块;其中:

所述信号采集模块用于采集受试者的脑电信号;

所述信号处理模块用于对所述脑电信号进行预处理,并将预处理后的所述脑电信号转换为数字信号并发送至上位机,以得到识别结果;

所述电源模块用于为所述VR眼镜、所述信号采集模块及所述信号处理模块供电。

2.如权利要求1所述的可穿戴设备,其特征在于,所述SSVEP刺激范式为阵列式的闪烁黑白格。

3.如权利要求2所述的可穿戴设备,其特征在于,所述闪烁黑白格的频率为8Hz或者12Hz或者15Hz或者18Hz。

4.如权利要求1所述的可穿戴设备,其特征在于,所述VR眼镜还用于显示所述识别结果。

5.如权利要求1所述的可穿戴设备,其特征在于,所述信号采集模块包括:

6个设置于镜架上、分别用于采集人脑的C3区域、C4区域、CZ区域、O1区域、O2区域及OZ区域的脑电信号的电极,其中,C3区域和O1区域的电极构成一组差分电极,C4区域和O2区域的电极构成一组差分电极,CZ区域和OZ区域的电极构成一组差分电极;

放大器,用于对各个差分电极输出的脑电信号进行放大。

6.如权利要求1所述的可穿戴设备,其特征在于,所述信号处理模块为ADS1198芯片。

7.如权利要求1-6任一项所述的可穿戴设备,其特征在于,所述电源模块包括电池。

8.如权利要求7所述的可穿戴设备,其特征在于,所述电池为锂电池。

9.如权利要求8所述的可穿戴设备,其特征在于,所述电源模块还包括USB接口,用于通过USB线连接外部电源。

10.一种脑电采集系统,包括上位机,其特征在于,还包括如权利要求1-9任一项所述的基于VR技术和SSVEP的可穿戴设备。

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