[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置

权利要求书

1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容以及发光器件；

其中，第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一电容的一端以及第三薄膜晶体管的第一电极，所述第一薄膜晶体管的第一电极电性连接于第二薄膜晶体管的第二电极以及第六薄膜晶体管的第二电极，所述第一薄膜晶体管的第二电极电性连接于第七薄膜晶体管的第一电极、第四薄膜晶体管的第二电极以及第五薄膜晶体管的第二电极；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，所述第二薄膜晶体管的第一电极电性连接于数据信号；所述第三薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，所述第三薄膜晶体管的第二电极电性连接于第四薄膜晶体管的第一电极；所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号，所述第五薄膜晶体管的第一电极电性连接于参考电压信号；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号，所述第六薄膜晶体管的第一电极电性连接于第一电压端以及第一电容的另一端；所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第五扫描控制信号，所述第七薄膜晶体管的第二电极电性连接于发光器件的阳极；所述发光器件的阴极连接于第二电压端。

2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管均为P型晶体管。

3.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管以及第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极；或者，所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极。

5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、第四扫描控制信号以及第五扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。

6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光器件是OLED。

7.如权利要求1至6中任一项至所述的像素电路，其特征在于，还包括第二电容，所述第二电容的一端电性连接于第二薄膜晶体管的栅极，所述第二电容的另一端电性连接于第一薄膜晶体管的栅极。

8.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一项所述的像素电路。

9.一种如权利要求1至7中任一项所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，包括：

在第一时间段，第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第七薄膜晶体管导通，利用参考电压信号初始化第一薄膜晶体管的栅极电压和发光器件的阳极电压；

在第二时间段，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管导通，第一薄膜晶体管的栅极电压变为V_DATA-|V_th|，其中，V_DATA为数据信号的电压，V_th为第一薄膜晶体管的阈值电压；

在第三时间段，第一薄膜晶体管，第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管导通，完成阈值电压补偿，驱动发光器件发光。

10.如权利要求9所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，在第一时间段，第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第五扫描控制信号提供低电平，第三扫描控制信号、第四扫描控制信号及数据信号提供高电平；在第二时间段，第二扫描控制信号、第三扫描控制信号及数据信号提供低电平，第一扫描控制信号、第四扫描控制信号及第五扫描控制信号提供高电平；在第三时间段，第四扫描控制信号及第五扫描控制信号提供低电平，第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号及数据信号提供高电平。