[发明专利]一种并联稳压电路有效
| 申请号： | 201710122932.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106774601B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 甄少伟;陶金;黄锴;王康乐;罗萍;贺雅娟;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 并联 稳压 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种并联稳压电路，包括第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和第一电容(C1)，
其特征在于，所述第一PMOS管(M1)和第二PMOS管(M2)构成电流镜，第一PMOS管(M1)的栅极和漏极互连并连接第二PMOS管(M2)的栅极和第一三极管(Q1)的集电极，第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)和第三PMOS管(M3)的源极相连，第一PMOS管(M1)的源极作为所述并联稳压电路的输入端和输出端，第二PMOS管(M2)的漏极连接第三PMOS管(M3)的栅极和第二三极管(Q2)的集电极；
第一电容(C1)连接在第三PMOS管(M3)的源极和栅极之间，第三PMOS管(M3)的漏极接地；
第一三极管(Q1)的发射极通过第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的串联结构后接地，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的串联点接第二三极管(Q2)的发射极，第二PMOS管(M2)的源极通过第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的串联结构后接地，第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)的基极相连并连接第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的串联点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710122932.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电源电路、线性电源和音频设备
- 下一篇：一种无人机载直流低压大电流通断控制器
