[发明专利]一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路

说明书

本发明提供一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路，该芯片连接至一包括可控硅调光器和输入电流采样电阻的外围电路，包括一迟滞比较器、一跨导模块、一第一NMOS管、一第一PMOS管、一第二PMOS管、一第二NMOS管、一补偿电容、一隔离电容、一第一比较器、及一驱动模块。本发明并不通过直接下拉母线电压Vin来使输入电流增加，输入电流增加的部分依然作为输出电流的一部分，所以相对于图1的现有技术效率明显提高，特别是在输出电流较小的情况下，效率改善明显，另外，本发明无需采用高压MOS管且无需额外增加芯片管脚，从而降低成本。

技术领域

本发明涉及LED驱动领域，尤其涉及一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路。

背景技术

可控硅调光器作为传统照明灯具的调光设备，具有成本低，电路简单可靠，调光效果好等优点。因此可控硅调光器成为白炽灯等传统照明灯具最为广泛使用的调光设备。随着LED灯对传统照明灯具的逐步替代，市场要求LED驱动电路也必须兼容可控硅调光器。

由于白炽灯等传统照明灯具属于阻性负载，可控硅调光器对于阻性负载有天然的自适性。而LED属于电流驱动的负载，当LED电流较小，驱动电路输入电流小于可控硅调光器的保持电流时，该可控硅调光器将无法正常开启和维持，从而导致LED灯闪。为了防止灯闪，要求LED驱动电路提高对可控硅调光器的兼容性，以使电路输入电流始终大于可控硅调光器的保持电流。

图1示出了现有的提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动电路。如图1所示，驱动电路输入电流Iin'由交流电源AC'提供，该输入电流首先流过可控硅调光器11'，而后经整流电路12'整流后流过电阻Rdet'产生电压vdet'。放大器21'的正负输入信号分别为vdet'和vref'，输出端与高压MOS管M0'的栅极相连。当流过可控硅调光器11'的电流减小时，vdet'从负压上升，放大器21'将Vdet'与vref'比较，以根据比较结果控制MOS管M0'导通，并通过限流电阻R1'对母线电压Vin'下拉，从而增大输入电流，保证流过可控硅调光器11'的电流大于其保持电流。

上述LED驱动电路虽然能够提高对可控硅调光器的兼容性，但其仍具有如下缺点：

(1)MOS管M0'必须为高压管，增加了面积与成本。

(2)由MOS管M0'下拉增加的输入电流通过限流电阻R1'和M0'直接流到地，增加了损耗影响效率。

(3)在LED驱动电路中，放大器一般集成在LED驱动芯片内。在此基础上，如果高压MOS管M0'设置在芯片外部作为外围电路，则会增加系统成本，同时放大器21'的输出端必须通过芯片外部管脚与该高压MOS管M0'相连，所以芯片必须另外增加了一个管脚，增加了芯片成本；如果高压MOS管M0'集成在芯片内部，放大器21'的输出端可直接与高压MOS管M0'的栅极相连，但该高压MOS管21'的漏极必须通过电阻R1'连接到芯片外部与整流电路12'的正输出端相连的母线上，所以芯片仍需增加一个额外的管脚。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片及电路，其无需采用高压MOS管且无需额外增加芯片管脚，从而降低成本，同时增加的输入电流不会直接流入地，从而有效降低损耗，提高效率。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种提高对可控硅调光器兼容性的LED驱动芯片，连接至一包括可控硅调光器和输入电流采样电阻的外围电路，且一输入电流流过所述可控硅调光器和输入电流采样电阻，该芯片包括：

一迟滞比较器，其正输入端连接一内部基准电压端，负输入端连接所述外围电路以接收所述输入电流流过所述输入电流采样电阻产生的电压；

一跨导模块，其正输入端连接一内部基准电流端，负输入端连接一输出电流反馈端；