[发明专利]基于双层SIW结构的混合耦合滤波器

权利要求书

1.基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于包括第一层圆形SIW谐振器和第二层圆形SIW谐振器，所述第一层圆形SIW谐振器包括滤波器上表面、第一介质基板和公用金属面；第二层圆形SIW谐振器包括滤波器下表面、第二介质基板和公用金属面；第一层圆形SIW谐振器和第二层圆形SIW谐振器共用同一公用金属面，所述公用金属面加载有两个圆孔，分别为第一圆孔和第二圆孔，第一层圆形SIW谐振器和第二层圆形SIW谐振器通过该公用金属面紧密结合；

所述第一介质基板内设置呈圆形排列的金属化过孔，该圆形排列的金属化过孔实现第一圆形谐振腔，所述第二介质基板内设置呈圆形排列的金属化过孔，该圆形排列的金属化过孔实现第二圆形谐振腔；

对应的圆形排列的金属化过孔环绕构成对应的圆形覆铜面；

所述滤波器上表面包括第一微带线转共面波导馈电结构：第一微带线为第一馈线，该共面波导由在圆形覆铜面上开第一槽线和第二槽线形成，所述第一馈线位于第一槽线和第二槽线中间；所述滤波器下表面包括第二微带线转共面波导馈电结构：第二微带线为第二馈线；该共面波导由在圆形覆铜面上开第三槽线和第四槽线形成，所述第二馈线位于第三槽线和第四槽线中间；所述滤波器上表面与滤波器下表面关于公用金属面的圆形覆铜面的圆心呈中心对称；

所述滤波器上表面和滤波器下表面四周均设置四个非金属化过孔。

2.根据权利要求1所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于所述滤波器上表面的边缘设置有输出端口，该输出端口位于第一馈线的中心，所述滤波器下表面的边缘设置有输入端口，该输入端口位于第二馈线的中心，所述输出端口和输入端口位于公用金属面的一组相对侧。

3.根据权利要求1所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于所述滤波器上表面的边缘设置有输入端口，该输入端口位于第一馈线的中心，所述滤波器下表面的边缘设置有输出端口，该输出端口位于第二馈线的中心，所述输出端口和输入端口位于公用金属面的一组相对侧。

4.根据权利要求2或3所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于选定公用金属面的中心为坐标原点建立三角坐标系，将第一层圆形SIW谐振器和第二层圆形SIW谐振器水平放置，竖直方向为Z轴方向，第一圆孔的圆心和第二圆孔的圆心所在直线为Y轴方向，X轴方向确定，所述第一槽线和第二槽线关于Y轴对称，所述第三槽线和第四槽线关于Y轴对称；第一槽线、第二槽线、第三槽线和第四槽线结构相同，上谐振腔和下谐振腔关于坐标原点中心对称。

5.根据权利要求4所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于所述上谐振腔和下谐振腔的半径均为10.8mm，第一圆孔和第二圆孔的半径均为2.35mm，第一圆孔和第二圆孔距坐标原点的距离均为4.4mm；第一层圆形SIW谐振器和第二层圆形SIW谐振器均关于y轴对称。

6.根据权利要求5所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于所述第一槽线和第二槽线为相反方向设置的L型槽线，第一槽线和第二槽线关于Y轴对称，第一槽线平行于Y轴的槽线的长度为3mm，第一槽线平行于X轴方向上的槽线的长度为3.2mm，第一槽线的缝隙宽0.15m。

7.根据权利要求6所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于所述金属化过孔的直径为0.15mm。

8.根据权利要求7所述的基于双层SIW结构的混合耦合滤波器，其特征在于所述第一馈线和二馈线特性阻抗均为50欧姆。