[发明专利]存储设备的编程方法和使用其的存储系统

权利要求书

1.一种存储设备的编程方法，该方法包括：

确定有效数据是否被存储在与将被执行编程操作的选择字线相邻的字线的存储单元中；

当有效数据未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中时，

基于将被写入选择字线的数据来对与选择字线相邻的字线执行预编程操作；以及

在对与选择字线的相邻的字线执行预编程操作之后，基于编程命令来对选择字线执行编程操作，

其中，与选择字线相邻的字线的存储单元中的至少一个是伪存储单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当编程命令是用于对存储设备的擦除的存储块执行第一编程操作的编程命令时，有效数据被确定为未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

至少一个伪存储单元位于存储设备的存储块中所包括的单元串的主存储单元与地选择晶体管之间，并且

当将被执行编程操作的选择字线是与至少一个伪存储单元相邻的主存储单元所连接到的字线时，有效数据被确定为未被存储在与选择字线相邻的字线的存储单元中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行预编程操作对与单元串的主存储单元相邻的至少一个伪存储单元所连接到的字线执行预编程操作。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，对与单元串的主存储单元相邻的至少一个伪存储单元所连接到的字线执行预编程操作，并且然后对主存储单元所连接到的选择字线执行根据编程命令的编程操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，预编程操作包括：

向与选择字线相邻的字线写入与将被写入选择字线的数据相同的数据。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，预编程操作包括：

与根据将对选择字线执行的编程操作的编程循环改变的编程电压电平的增加范围相比，将根据编程循环改变的编程电压电平的增加范围设置为更大。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用一次编程脉冲来执行预编程操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，预编程操作不包括验证操作。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，预编程操作包括：

当将被编程到选择字线中的数据是至少两页的数据时，

通过把至少两页的数据组合来确定数据，并且

向与选择字线相邻的字线写入所确定的数据。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，预编程操作包括：

通过把将被写入到选择字线的至少两页的数据组合来确定单页数据；以及

向与选择字线相邻的字线写入单页数据。

12.一种存储系统，包括：

包括连接到多个字线和多个位线的存储单元阵列的非易失性存储设备；以及

存储器控制器，被配置为基于从主机接收到的编程命令来控制非易失性存储设备的操作，

非易失性存储设备和存储器控制器被配置为使得当有效数据未被存储在与将被执行编程操作的非易失性存储设备的选择字线相邻的字线的存储单元中时，非易失性存储设备和存储器控制器中的至少一个

基于将被写入选择字线的数据对与选择字线相邻的字线执行预编程操作，并且然后，

根据编程命令来对选择字线执行编程操作，

其中，与选择字线相邻的字线的存储单元中的至少一个是伪存储单元。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，非易失性存储设备和存储器控制器被配置为使得当编程命令是用于对非易失性存储设备的擦除的存储块执行第一编程操作的编程命令时，非易失性存储设备和存储器控制器中的至少一个对与选择字线相邻的伪字线执行预编程操作。