[发明专利]半导体器件、系统及控制方法、电荷泵电路、车辆有效
申请号: | 201710095521.3 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN107181406B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 小山慎一;楠武志;周伟;铃木宏昌 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02H7/12;H02M3/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 系统 控制 方法 电荷 电路 车辆 | ||
本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式,半导体器件包括第一晶体管,其设置在高电位侧电压端和输出端之间,通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端;第二晶体管,其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间,接地电压提供至所述低电位侧电压端;控制电路,其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开;升压电路,其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压;及过电压检测电路,其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路,在检测出所述过电压时,控制断开所述第二晶体管。
在此通过引用并入2016年3月9日提交的日本专利申请第2016-045322号公布内容的全部,包括说明书、附图和摘要。
技术领域
本发明涉及半导体器件、电荷泵电路、半导体系统、车辆及半导体器件的控制方法,例如,涉及适用于防止由过电流流动导致晶体管及配线退化的半导体器件、电荷泵电路、半导体系统、车辆及半导体器件的控制方法。
背景技术
日本未审查专利申请公布文献第2007-82364号公开了电荷泵电路的结构。所述电荷泵电路包括输出恒定电压的恒压输出电路、控制电路及由所述控制电路控制的升压电路,该升压电路具有输入单元,所述恒压输出电路的输出被提供至所述输入单元。进一步地,所述恒压输出电路包括过电流检测电路及过电流保护电路,所述过电流检测电路在等于或大于预定值的电流流动持续预定的时间段或更长的时间段的情况下检测出过电流,所述过电流保护电路基于所述过电流检测电路的检测结果执行保护所述恒压输出电路的操作。
发明内容
在日本未审查专利申请公布文献第2007-82364号公开的电荷泵电路的结构中,仅仅提供检测过电流在恒压输出电路中流动的电路而不考虑所述过电流是否在对升压电路进行开关控制的控制电路中流动。因此,在所述控制电路的输出端与电源电压线短路(即,发生电源故障)的情况下,就不可能检测到所述过电流在控制电路中流动。那么,就会存在控制电路中设置的晶体管及配线退化的问题。根据本申请说明书的描述以及附图,其他问题及新颖性特征将变得明显。
根据一种实施方式,半导体器件包括:第一晶体管,其设置在高电位侧电压端和第一输出端之间,通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端;第二晶体管,其设置在低电位侧电压端和所述第一输出端之间,参考电压提供至所述低电位侧电压端;控制电路,控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的导通/断开;升压电路,通过使用所述第一输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压;及过电压检测电路,所述过电压检测电路检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路,在所述过电压检测电路检测出所述过电压时,至少以断开所述第二晶体管这样的方式来控制所述第二晶体管。
根据另一实施方式,半导体器件的控制方法包括如下步骤:控制第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导通/断开,从而定期地将第一输出端的电压切换为恒定电压或者参考电压,其中,所述第一晶体管设置在高电位侧电压端和第一输出端之间,通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端,所述第二晶体管设置在低电位侧电压端和所述第一输出端之间,所述参考电压提供至所述低电位侧电压端;通过使用所述第一输出端的电压升高所述电源电压,从而产生输出电压;及至少以下述方式控制所述第二晶体管:当检测到使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压时,使所述第二晶体管断开。
根据所述实施方式,可提供可防止由过电流流动导致晶体管及配线退化或损坏的半导体器件、电荷泵电路、半导体系统、车辆及半导体器件的控制方法。
附图说明
图1示出了根据第一实施方式的包括电荷泵电路的半导体系统的结构示例。
图2示出了设置在图1所示的电荷泵电路中的过电压检测电路的具体的结构示例。
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