[发明专利]调容变压器的低压箔绕线圈结构及调容变压器有效

专利信息
申请号: 201710089927.0 申请日: 2017-02-20
公开(公告)号: CN106653317B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 魏贞祥;杨福荣;马振邦;王东伟 申请(专利权)人: 北京博瑞莱智能科技集团有限公司;北京博瑞莱智能科技周口有限公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/29;H01F27/32;H01F29/02
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 赵志远
地址: 100095 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 调容变压器 短路阻抗 低压箔绕线圈 大容量 小容量 绕组串联 变压 调容 感抗 变压器技术领域 小容量状态 同心设置 主空道 并联 减小 套在 裕度 匝数
【说明书】:

发明涉及变压器技术领域,尤其是涉及一种调容变压器的低压箔绕线圈结构及调容变压器。该调容变压器的低压箔绕线圈结构包括:第一绕组、第二绕组以及第三绕组;第一绕组与第二绕组由上至下依次同心设置;第一绕组与第二绕组串联或者并联;第三绕组套在第一绕组和第二绕组外;第三绕组与第一绕组或第二绕组串联。由于调容变压处于小容量状态时,远离调容变压器的主空道的匝数较多,使得调容变压器的感抗增大,主要由感抗组成的调容变压器的短路阻抗增大,从而减小大容量下和小容量下短路阻抗之间的差值,使得调容变压在大容量和小容量下的短路阻抗一致性增加,进而使得调容变压器在大容量和小容量下短路阻抗合格裕度增加。

技术领域

本发明涉及变压器技术领域,尤其是涉及一种调容变压器的低压箔绕线圈结构及调容变压器。

背景技术

变压器的自身损耗由空载损耗和负载损耗组成。变压器的空载损耗在变压器端电压不变的情况下实时存在,且大小不变,负载损耗随着负载变化而变化。当晚上工厂设备或家庭用电量极少的情况下,变压器负载损耗已极低,但变压器的空载损耗不变甚至由于用电量低电压上升而增大;当刚投入使用住宅小区或刚开的工厂用电量还很低时,当季节性用电差异大的场合,变压器的空载损耗也不会随着用电量小而变小,此时出现了“大马拉小车现象”,如果采用一定措施降低变压器空载损耗,将大大节约能源。因此调容变压器的出现很好地解决了上述问题。

当用电量少时,将调容变压器转换为小容量运行,将大大减小变压器的空载损耗。有载调容变在调容时不会出现断电,在节能的同时提高了供电可靠性。但无论是调容变压器还是有载调容变压器,多数采用高压绕组进行星形和三角形变换,低压绕组进行串联到并联的转换。低压采用电磁线绕制的变压器,除了变压器每次转换时,绕组线间因受力急速变化,出现辐向和轴向抖动外,变压器出现短路时线间受力更为严重,普通10kV变压器都需特殊处理比如浸漆使线圈成为一体才能解决,但这增加了制造难度和增加了生产工时。而低压绕组采用箔绕的方式可以解决上述问题,调容变压器也可以设计为箔绕形式。

但目前的箔绕式调容变压器采用先绕制公共段绕组,再在公共段绕组外后绕制串并联绕组,这样造成变压器大小容量时短路阻抗相差较大,容易造成一种容量下阻抗合格,另一种容量下不合格的现象。

另外箔绕线圈绕制时层间绝缘采用电缆纸时,因纸强度较低,第一绕组和第二绕组同时绕制,箔间绕制稍微不平衡易造成层间短路。采用DMD预浸布时,因预浸布适用于干变,不适用于油变,若用于油变长期运行,将引起绝缘损坏,最终引起层间短路。因调容变压器的外引排较多,普通箔绕变压器的起头固定方式,不适合调容变压器。

发明内容

本发明的目的在于提供低压箔绕线圈结构及调容变压器,以解决现有技术中存在的变压器大容量和小容量下短路阻抗相差较大的技术问题。

本发明提供一种调容变压器的低压箔绕线圈结构,所述调容变压器的低压箔绕线圈结构包括:第一绕组、第二绕组以及第三绕组;所述第一绕组与所述第二绕组由上至下依次同心设置;所述第一绕组与所述第二绕组串联或者并联;所述第三绕组套在所述第一绕组和所述第二绕组外;所述第三绕组与所述第二绕组串联。

进一步地,所述第二绕组由第二导电箔绕制形成,所述第三绕组由第三导电箔绕制形成;所述第二导电箔的结尾端与所述第三导电箔的开始端通过电阻焊的方式连接。

进一步地,所述第一绕组由第一导电箔绕制形成;所述第一绕组的相邻两层第一导电箔之间、所述第二绕组的相邻两层第二导电箔之间以及所述第三绕组的相邻两层第三导电箔之间均设置有层绝缘纸;所述层绝缘纸为耐油性菱格点胶DMD纸。

进一步地,所述层绝缘纸的厚度为0.15-0.20mm。

进一步地,所述第一导电箔的开始端设置有第一开始端外引排;所述第二导电箔的开始端设置有第二开始端外引排;所述第一开始端外引排与所述第二开始端外引排通过绝缘防护件固定连接;所述绝缘防护件的上端和下端均位于所述第一绕组与所述第二绕组的内部。

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