[发明专利]一种升压变换电路

权利要求书

1.一种高升压变比直流升压变换电路，其特征在于：包括第一级升压电路、第二级升压电路、关断信号产生电路和电平移位电路；

第一级升压电路由电感L₁、开关管M₈、M₉、二极管D₁、电容C₁、电阻R_L组成；第二级升压电路由电感L₃、L₂、电容C₂、二极管D₂、开关管M₁₀组成；关断信号产生电路由晶体管M₂、M₃、M₄、M₅、M₆、M₇和电阻R₂组成；电平移位电路由开关管M₁和电阻R₁组成；

电感L₁一端与输入电压V_in正端、电感L₂一端、晶体管M₂、M₃的栅极和漏极连接，另一端与M₈的漏极和二极管D₁的阳极连接，输入电压V_in负端接地，M₈的源极与M₉的漏极连接，M₉的源极接地，M₉的栅极与M₁的栅极接收开关控制脉冲输入，M₈的栅极连接M₂的源极、M₄的漏极和电阻R₂的一端，二极管D₁的阴极为升压变换电路的输出端V_out，D₁的阴极连接电容C₁、电阻R_L、R₁和电感L₃的一端，电容C₁、电阻R_L的另一端接地；电感L₃另一端连接电容C₂一端和二极管D₂阴极，D₂阳极连接电感L₂另一端和M₁₀漏极，M₁₀源极和电容C₂另一端接地，M₁₀栅极连接电阻R₁另一端和M₁漏极，M₁源极接地；M₄、M₅的源极连接M₆的漏极，M₆的源极接地，M₃的源极连接M₅的漏极，M₄的栅极连接二极管D₁的阴极，电阻R₂另一端连接M₇的漏极，M₇源极接地，M₅、M₆、M₇的栅极分别连接偏置电压V_B1、V_B3、V_B2。

2.一种高升压变比直流升压变换方法，其特征在于：应用于权利要求1所述的高升压变比直流升压变换电路，其中第一级升压电路的开关管M₈、M₉为低阈值电压MOS晶体管，开关管M₈的工作受到关断信号产生电路输出的关断信号控制，当升压变换电路的输出电压低时该关断信号使得第一级升压电路正常工作，当输出电压高时该关断信号使得M₈关断；第二级升压电路的开关管M₁₀为耐受电压高的高阈值电压MOS晶体管，第二级升压电路的开关支路的控制信号由电平移位电路产生，开关控制脉冲连接到电平移位电路输入端，电平移位电路输出端连接到高阈值电压MOS晶体管M₁₀的栅极，当升压变换电路的输出电压在第一级升压电路作用下升高时，电平移位电路的输出电压升高，控制高阈值电压MOS晶体管M₁₀的通断。