[发明专利]一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩锅及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710080107.5 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN106810250A 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 沈鸿飞 申请(专利权)人: 上海可盛硅酸盐新材料有限公司
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201822 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 改性 氧化锆 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及坩埚技术领域,具体涉及一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚及其制备方法。

背景技术

氧化锆坩埚耐高温,是熔炼贵金属及合金的最优器皿,但由于氧化锆热导率只有2.09W/m·K,传热效率不高的同时,也极易在高频炉的急冷急热中破裂,不仅使得本身使用坩埚的成本增加,而且坩埚破裂后,会使得贵金属和高温合金的流失,造成浪费。

发明内容

为解决现有技术存在的问题,本发明提供一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩锅及其制备方法,能够提高热导率,延长坩埚使用寿命,降低熔炼成本。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚,包括氧化锆和石墨烯。

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚的制备方法,包括以下步骤:

1)将氧化锆和石墨烯按照质量配比98.5:1.5混合均匀,然后将混合物放入球磨机里进行湿法球磨26小时,静置2小时;

2)调节浆料的pH值在7~8,浆料温度在45±1℃,倒入石膏模中注浆,等坯体从模具中脱落后,取出,自然干燥100小时,修坯,然后放入炉中,待烧结;

3)烧结:在空气中,6个小时从室温升到1000℃,然后3个小时从1000℃升到1650~1750℃,保温2个小时,即获得石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚。

所述氧化锆中含有8%的氧化钙。

所述步骤1)中所述的湿法球磨是去离子水为球磨介质。

本发明的有益效果:

本发明提供了一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚及其制备方法,采用石墨烯与氧化锆混合,得到的坩埚热导率提升到了65W/m·K,增加了热稳定性,使坩埚的使用寿命提高了5-6倍,降低了熔炼成本。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。

实施例1

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚,包括氧化锆和石墨烯。

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚的制备方法,包括以下步骤:

1)将氧化锆(含8%的氧化钙)和石墨烯按照98.5:1.5的质量配比混合均匀,然后将混合物放入球磨机里进行湿法球磨26小时,静置2小时;

2)调节浆料的pH值在7~8,浆料温度在45℃时,倒入石膏模中注浆,等坯体从模具中脱落后,取出,自然干燥100小时,修坯,然后放入炉中,待烧结;

3)烧结:在空气中,6个小时从室温升到1000℃,然后3个小时从1000℃升到1680℃,保温2个小时,即获得石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚。

实施例2

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚,包括氧化锆和石墨烯。

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚的制备方法,包括以下步骤:

1)将氧化锆(含8%的氧化钙)和石墨烯按照98.5:1.5的质量配比混合均匀,然后将混合物放入球磨机里进行湿法球磨26小时,静置2小时;

2)调节浆料的pH值在7~8,浆料温度在45.5℃时,倒入石膏模中注浆,等坯体从模具中脱落后,取出,自然干燥100小时,修坯,然后放入炉中,待烧结;

3)烧结:在空气中,6个小时从室温升到1000℃,然后3个小时从1000℃升到1700℃,保温2个小时,即获得石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚。

实施例3

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚,包括氧化锆和石墨烯。

一种石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚的制备方法,包括以下步骤:

1)将氧化锆(含8%的氧化钙)和石墨烯按照98.5:1.5的质量配比混合均匀,然后将混合物放入球磨机里进行湿法球磨26小时,静置2小时;

2)调节浆料的pH值在7~8,浆料温度在44.8℃时,倒入石膏模中注浆,等坯体从模具中脱落后,取出,自然干燥100小时,修坯,然后放入炉中,待烧结;

3)烧结:在空气中,6个小时从室温升到1000℃,然后3个小时从1000℃升到1730℃,保温2个小时,即获得石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚。

本具体实施方式得到的石墨烯改性氧化锆陶瓷坩埚,热导率提升到了65W/m·K,增加了热稳定性,使坩埚的使用寿命提高了5-6倍,降低了熔炼成本。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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