[发明专利]AMOLED像素驱动电路及AMOLED像素驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D)；

所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(G)，源极接入电源高电压(OVDD)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；

所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描控制信号(Scan1)，源极电性连接于第一节点(G)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；

所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(Scan2)，源极电性连接于第二节点(N)，漏极电性连接于第一节点(G)；

所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管(D)的阳极；

所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极电性连接于第二节点(N)，漏极接入初始化电压(Vini)；

所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第二节点(N)；

所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(G)，另一端电性连接于第二节点(N)；

所述有机发光二极管(D)的阴极接入电源低电压(OVSS)；

所述第六薄膜晶体管(T6)为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第五薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5)均为P型薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(Scan1)、第二扫描控制信号(Scan2)、以及第三扫描控制信号(Scan3)相组合，先后对应于一初始化阶段(1)、一电位存储阶段(2)、及显示发光阶段(3)，并控制所述有机发光二极管(D)在初始化阶段(1)及电位存储阶段(2)不发光。

3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，

在所述初始化阶段(1)，所述第三扫描控制信号(Scan3)提供高电位，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供低电位，第一扫描控制信号(Scan1)提供高电位；

在所述电位存储阶段(2)，所述第三扫描控制信号(Scan3)提供高电位，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供高电位，第一扫描控制信号(Scan1)提供低电位；

在所述显示发光阶段(3)，所述第三扫描控制信号(Scan3)提供低电位，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供高电位，第一扫描控制信号(Scan1)提供高电位。

4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(Scan1)、第二扫描控制信号(Scan2)、与第三扫描控制信号(Scan3)均通过外部时序控制器提供。

5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。