[发明专利]参考电压驱动器在审
| 申请号： | 201710074330.9 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108415499A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈廷乾;唐进涛;马妍;杨家奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考电压驱动器 吸收电流 主输出级 输出级 电流源 放大器 电流复制 输出单元 检测 电流消耗 主从结构 | ||
1.一种参考电压驱动器，其特征在于，所述参考电压驱动器包括放大器、以及与所述放大器连接的主输出级和从输出级，其中，
所述主输出级包括第一输出单元、电流源以及检测单元，所述检测单元用于将所述主输出级的电压和电流复制到所述从输出级；
所述从输出级包括第二输出单元以及负载，所述负载为吸收电流能力大于电流源的吸收电流能力的负载。
2.根据权利要求1所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述检测单元和所述负载均为晶体管，所述检测单元和所述负载构成电流镜。
3.根据权利要求2所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第一输出单元和所述第二输出单元均为NMOS晶体管，所述检测单元和所述负载均为PMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第一输出单元为第一晶体管，所述第二输出单元为第二晶体管，所述检测单元为第三晶体管，所述负载为第四晶体管，其中：
所述第一晶体管的漏极用于连接电源电压，所述第一晶体管的源极连接所述第三晶体管的源极；
所述第二晶体管的漏极用于连接所述电源电压，所述第二晶体管的源极连接所述第四晶体管的源极；
所述第三晶体管的漏极和栅极连接所述电流源的一端，所述电流源的另一端用于接地；以及
所述第四晶体管的栅极连接所述第三晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极用于接地，所述第四晶体管的源极电压为输出参考电压。
5.根据权利要求4所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述放大器为负反馈放大器。
6.根据权利要求5所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述放大器的正输入端用于连接输入参考信号，所述放大器的负输入端连接来自所述主输出级的反馈信号，所述放大器的输出端连接所述第一输出单元和所述第二输出单元。
7.根据权利要求6所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述放大器的负输入端连接所述第一晶体管的源极，所述放大器的输出端连接所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极。
8.根据权利要求4所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第二晶体管与所述第一晶体管的尺寸比等于所述第四晶体管与所述第三晶体管的尺寸比。
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