[发明专利]输出READY信号的电压电流产生电路

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种输出READY信号的电压电流产生电路。

背景技术

基准电压电流产生电路在模拟电路中被广泛使用，产生的电压电流用于产生电源电压、时钟、高压/负压、检测信号、运算放大器偏置等等。

基准电压电流产生电路的基本参数为电压值、电流值、功耗、建立时间等。在实际使用中建立时间往往是需要等待其最大值的。在高要求的应用中等待建立时间的最大值就显得不智能,基准电压电流产生电路输出READY信号就可以解决这个问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种输出READY信号的电压电流产生电路。

为解决上述问题，本发明所述的输出READY信号的电压电流产生电路，包含三个PMOS、一个NMOS、四个反相器、一个电阻、一个开关以及两个电容；三个PMOS的源极并联接电源，栅极并联接门级控制电压，第一PMOS的漏极接电阻并输出参考电压，电阻另一端接地。

第二及第三PMOS的漏极分别输出第一参考电流及第二参考电流。

所述第一PMOS的漏极输出的参考电压作为NMOS的栅极输入电压，NMOS的漏极通过第一电容接电源，NMOS的源极接地。

第一及第二反相器串联，输入接第一参考电流，输出READY信号。

第三及第四反相器串联，输入接NMOS的漏极，输出信号控制一开关，所述开关的一端接第一参考电流，另一端通过第二电容接地。

进一步地，所述的第一至第三PMOS组成电流镜。

进一步地，所述通过调整NMOS、第一及第二电容的参数，使得READY信号出现时，VREF/IREF稳定在最终数值的5%以内。

进一步地，所述的电阻，或者替换为电阻和二极管串联；还能替换为电阻和三极管串联。

本发明通过在传统的基准电压电流产生电路中增加一些元件，在没有直流电流消耗的情况下增加了READY输出信号。

附图说明

图1 是典型的基准电压电流产生电路。

图2 是本发明带READY信号输出功能的基准电压电流产生电路。

具体实施方式

本发明所述的输出READY信号的电压电流产生电路如图2所示，包含三个PMOS（P1～P3）、一个NMOS(N1)、四个反相器、一个电阻Z、一个开关S以及两个电容(C1、C2)；三个PMOS的源极并联接电源VPWR，三个PMOS组成输出电流镜；三个PMOS的栅极并联接门级控制电压VGATE，第一PMOS的漏极接电阻Z并输出参考电压VREF，电阻Z另一端接地。

第二及第三PMOS的漏极分别输出第一参考电流IREF1及第二参考电流IREF2。

所述第一PMOS的漏极输出的参考电压VREF作为NMOS N1的栅极输入电压，NMOS的漏极通过第一电容C1接电源VPWR，NMOS N1的源极接地。

第一及第二反相器串联，输入接第一参考电流IREF1，输出READY信号。

第三及第四反相器串联，输入接NMOS N1的漏极，输出信号控制一开关S，反相器和开关S实现功能为：当VREF为低时，S断开；当VREF为高时，S连接。所述开关S的一端接第一参考电流IREF1，另一端通过第二电容C2接地。

所述的电阻Z，可以是纯电阻，也可以替换为电阻和二极管串联；或者替换为电阻和三极管串联。

图1中VGATE为GATE控制电压，由其余电路产生。VREF、IREF1、IREF2为产生的基准电压和基准电流。

上述电路结构的工作原理为，VREF在从零升高的过程中会打开N1进行放电，把C1的下端电压拉低，经过两个反相器之后打开开关S，IREF1电流再对C2电容进行充电，C2上端电压升高，经过两个反相器之后输出READY信号。

调整N1、C1、C2的参数可以使得READY出现的时候VREF/IREF已经稳定在最终数值的5%之内。在没有直流电流消耗的情况下增加了READY输出信号。

以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。