[发明专利]一种基于多层纳米流体的可调控二维热隐身斗篷

权利要求书

1.一种基于多层纳米流体的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，该可调控二维热隐身斗篷包括衬底层、绝热间隔环层、纳米流体环层、纳米流体环层上方的金属薄膜盖片、控制单元和供能单元；

该可调控二维热隐身斗篷将纳米流体环层以x-y水平面中心为轴，在x、y轴线方向逐层延拓形成，每个纳米流体环层上方均盖有金属薄膜盖片，每个纳米流体环层之间均有绝热间隔环层隔离；

衬底层刻有多层环形槽，用于承载纳米流体，实现纳米流体环层，被隐藏的目标置于二维多层纳米流体环层的中心位置；

金属薄膜盖片表面连接导线，导线另一端依次经过控制单元和供能单元接地，通过操控控制单元，调控供能单元对每层纳米流体环层的作用时间，进而控制不同纳米流体环层中纳米流体的热磁转换或热物理性能，其所含纳米磁性颗粒的特性、流体的结构以及纳米颗粒的化学组成，使每层纳米流体环层对应不同的热导率系数，实现热隐身所需的二维热导率分布，进而使热流绕过二维斗篷区域后，温度场恢复原来分布，实现热隐身功能。

2.根据权利要求1所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的纳米流体环层的形状是圆环、椭圆环、矩形环或六边环，每个纳米流体环层独立控制和工作；所述的纳米流体是通过容质溶于溶液形成，其中，溶质包括金属氧化物、金属氮化物、金属、半导体材料、碳纳米管、金刚石和陶瓷颗粒；溶液包括水、酒精和油类；纳米流体环层的宽度为1μm～10cm、厚度为20nm～10cm。

3.根据权利要求1或2所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的金属薄膜盖片是Al片、Ag片、Au片、Cu片或Ni片，其宽度为1μm～10cm、厚度为20nm～10cm。

4.根据权利要求1或2所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的绝热间隔环层的材质是硅酸钙、硬质聚氨酯泡沫塑料、聚苯乙烯泡沫塑料、泡沫玻璃、In2O3、SnO2或ITO，其宽度为1nm～10cm、厚度为1nm～10cm。

5.根据权利要求3所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的绝热间隔环层的材质是硅酸钙、硬质聚氨酯泡沫塑料、聚苯乙烯泡沫塑料、泡沫玻璃、In2O3、SnO2或ITO，其宽度为1nm～10cm、厚度为1nm～10cm。

6.根据权利要求1、2或5所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的衬底层是塑料、BK7光学玻璃、SiO2、Si3N4或Al2O3。

7.根据权利要求3所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的衬底层是塑料、BK7光学玻璃、SiO2、Si3N4或Al2O3。

8.根据权利要求4所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的衬底层是塑料、BK7光学玻璃、SiO2、Si3N4或Al2O3。

9.根据权利要求1、2、5、7或8所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的控制单元是电控、光控、声控或磁控开关；所述的供能单元是电能、热能或光能。

10.根据权利要求1、2、5、7或8所述的可调控二维热隐身斗篷，其特征在于，所述的多层纳米流体环层通过材料生长工艺实现，包括电子束蒸发、金属有机化合物化学气相沉淀、气相外延生长或分子束外延方法。