[发明专利]灵敏放大器

说明书

本发明提供了一种灵敏放大器，包括参考电流支路与存储单元电流支路，所述参考电流支路具有第一输入端与第一输出端，所述存储单元电流支路具有第二输入端与第二输出端，所述第一输入端通过第一反馈放大电路直接与所述第一输出端相连接，所述第二输入端通过第二反馈放大电路直接与所述第二输出端相连接；在第一输入端与第二输入端输入的差分信号经过灵敏放大器产生输出信号，输出信号经过第一反馈放大电路或第二反馈放大电路，下拉第一输入端与第二输入端中的其中一个输入端的电压信号，从而增大两个输入端的差分电压，有利于提高灵敏放大器的抗干扰能力以及提升灵敏放大器的速度性能，从而实现高度灵敏放大器的设计。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种灵敏放大器。

背景技术

灵敏放大器(SA，Sense Amplifier)是NVM(非易失性存储器)电路中重要的组成部分，用于读出存储阵列中的数据。灵敏放大器被广泛的应用于各种存储器设计中，把差分小信号，转换成大信号，从而分辨存储在存储器(Bit Cell)中的“1”或“0”数据。

灵敏放大器一般包括一参考电流支路和一存储单元电流支路，通过比较参考电流支路与存储单元电流支路输出“0”或“1”信号。

随着先进工艺的发展，电源电压进一步下降，要求灵敏放大器对噪声的抗干扰能力进一步提高，特别是在设计高速读取电路的时候，如何增大灵敏放大器的差分输入电压，有利于抗干扰以及提升速度性能。

因此，如何增大灵敏放大器的差分输入电压，提高抗干扰能力以及提升速度性能是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种灵敏放大器，增大差分输入电压，增强灵敏放大器的抗干扰能力，提升速度性能。

为实现上述目的，本发明提供一种灵敏放大器，包括彼此连接的参考电流支路与存储单元电流支路，所述参考电流支路具有第一输入端与第一输出端，所述存储单元电流支路具有第二输入端与第二输出端，其特征在于，所述第一输入端通过第一反馈放大电路直接与所述第一输出端相连接，所述第二输入端通过第二反馈放大电路直接与所述第二输出端相连接，所述第一反馈放大电路用于放大所述第一输出端的输出信号，所述第二反馈放大电路用于放大所述第二输出端的输出信号。

可选的，所述第一反馈放大电路包括第一反相器与第十二晶体管；所述第二反馈放大电路包括第二反相器与第十三晶体管。

可选的，所述第一反相器的输入端连接至所述第一输出端，所述第一反相器的输出端连接至所述第十二晶体管的栅极；所述第十二晶体管的漏极连接至所述第一输入端，所述第十二晶体管的源极连接至接地端；所述第二反相器的输入端连接至所述第二输出端，所述第二反相器的输出端连接至所述第十三晶体管的栅极；所述第十三晶体管的漏极连接至所述第二输入端，所述第十三晶体管的源极连接至接地端。

可选的，所述第十二晶体管与所述第十三晶体管均为NMOS管。

可选的，所述参考电流支路与所述存储单元电流支路镜像对称设计。

可选的，所述参考电流支路包括四个晶体管；第一晶体管的第一电极与第二晶体管的第一电极相连接，所述第一晶体管的第二电极、所述第二晶体管的第二电极、第三晶体管的第二电极连接至第二输出端，所述第一晶体管的栅极连接至使能信号；所述第二晶体管的栅极、第三晶体管的栅极连接至第一输出端；所述第三晶体管的第一电极与第四晶体管的第二电极相连接；所述第四晶体管的栅极连接至第一输入端。