[发明专利]一种薄膜电感和电源转换电路

权利要求书

1.一种薄膜电感，其特征在于，所述薄膜电感包括：

第一薄膜磁芯(210)；

至少一个绕组(220)，所述至少一个绕组(220)沿所述第一薄膜磁芯(210)的难磁化方向绕制在所述第一薄膜磁芯(210)上，其中，所述至少一个绕组(220)在第一平面上的投影包围所述第一薄膜磁芯(210)在所述第一平面上的投影，所述第一平面垂直于所述第一薄膜磁芯(210)的难磁化方向；

至少一个第二薄膜磁芯(230)，未绕制有绕组，所述至少一个第二薄膜磁芯(230)中的每个第二薄膜磁芯(230)与所述第一薄膜磁芯(210)不在同一平面上，所述每个第二薄膜磁芯(230)的难磁化方向与所述第一薄膜磁芯(210)的难磁化方向相同，所述每个第二薄膜磁芯(230)与所述第一薄膜磁芯(210)在第二平面上的投影至少部分重叠，所述第二平面为所述第一薄膜磁芯(210)的难磁化方向与易磁化方向构成的平面。

2.根据权利要求1所述的薄膜电感，其特征在于，所述每个第二薄膜磁芯(230)与所述第一薄膜磁芯(210)平行，且所述至少一个第二薄膜磁芯(230)中的任意两个第二薄膜磁芯(230)是相隔离的。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜电感，其特征在于，所述每个第二薄膜磁芯(230)在所述第二平面上的投影覆盖所述第一薄膜磁芯(210)在所述第二平面上的投影。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜电感，其特征在于，所述至少一个绕组中的每个绕组包括多匝线圈，所述多匝线圈中的第一线圈的宽度大于所述多匝线圈中的第二线圈的宽度，所述第一线圈与所述第一薄膜磁芯(210)在难磁化方向上的中心位置之间的距离小于所述第二线圈与所述中心位置之间的距离，所述第一线圈和所述第二线圈为所述多匝线圈中的任意两匝线圈。

5.根据权利要求1或2所述的薄膜电感，其特征在于，所述至少一个第二薄膜磁芯(230)包括一个第二薄膜磁芯(230)；

所述至少一个绕组(220)中的每个绕组(220)包括上层绕组、下层绕组以及用于连接所述上层绕组和所述下层绕组的连接单元，所述上层绕组和所述下层绕组分别位于所述第一薄膜磁芯(210)的两侧，其中，所述上层绕组的厚度小于所述下层绕组的厚度和/或所述连接单元的厚度，所述上层绕组靠近所述一个第二薄膜磁芯(230)。

6.根据权利要求5所述的薄膜电感，其特征在于，所述上层绕组的厚度为10-30um。

7.根据权利要求5所述的薄膜电感，其特征在于，所述连接单元的厚度为30-60um。

8.根据权利要求1或2所述的薄膜电感，其特征在于，所述至少一个第二薄膜磁芯(230)包括两个第二薄膜磁芯(230)，所述两个第二薄膜磁芯(230)分别对称放置于所述第一薄膜磁芯(210)的两侧。

9.根据权利要求8所述的薄膜电感，其特征在于，所述至少一个绕组(220)中的每个绕组(220)包括上层绕组、下层绕组以及用于连接所述上层绕组和所述下层绕组的连接单元，所述上层绕组和所述下层绕组分别位于所述第一薄膜磁芯(210)的两侧，所述上层绕组的厚度为10-30um，所述下层绕组的厚度为10-30um。

10.根据权利要求1或2所述的薄膜电感，其特征在于，所述至少一个绕组(220)包括第一绕组(221)和第二绕组(222)，所述第一绕组(221)包括N匝线圈，所述第二绕组(222)包括M匝线圈，其中，所述第一绕组(221)中的P匝线圈与所述第二绕组(222)中的P匝线圈依次并行绕制在所述第一薄膜磁芯(210)上，0<N≤M，且P≤N。

11.根据权利要求10所述的薄膜电感，其特征在于，N＝M＝P。