[发明专利]一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路

权利要求书

1.一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路，其包括用于电压调制的主电路模块(1)，主电路模块(1)包括功率管(MP)，其特征在于：所述功率管(MP)栅极端连接有能快速瞬态响应电压电流变化的抵消电路，抵消电路包括电容、电流镜和电流放大器；

所述抵消电路包括电容、电流镜和电流放大器；

电容四个，四个电容分别为第一电容(C_C1)、第二电容(C_C2)、第三电容(C_C3)和第四电容(C_C4)；

电流镜两个，两个电流镜分别为第一电流镜和第二电流镜；

所述第一电容(C_C1)将LDO电路输出端(Vout)的电压下冲变化转变为正向电流变化信号，该正向电流变化信号经所述电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流；

第二电容(C_C2)将LDO电路输出端(Vout)的电压下冲变化转变为反向电流变化信号，第一电流镜将上述反向电流变化信号转变为正向电流变化信号，该正向电流变化信号经所述电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流；

所述第三电容(C_C3)将LDO电路输出端(Vout)的电压上冲变化转变为正向电流变化信号，该正向电流变化信号经所述电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流；

第四电容(C_C4)将LDO电路输出端(Vout)的电压上冲变化转变为反向电流变化信号，第二电流镜将该反向电流变化信号转变为正向电流变化信号，该正向电流变化信号经所述电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流。

2.根据权利要求1所述的一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路，其特征在于：所述抵消电路还包括有两个恒定电流源(Ib)，其中一个恒定电流源一端接地，该恒定电流源另一端分别与第二电容(C_C2)、第一电流镜连接组成一电流补偿电路；另一个恒定电流源一端接电源电压(VDD)，该另一个恒定电流源另一端分别与第四电容(C_C4)、第二电流镜连接组成另一电流补偿电路。

3.根据权利要求1或2所述的一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路，其特征在于：所述电流放大器有两个，分别为第一电流放大器和第二电流放大器；

第一电流放大器包括第一电阻和两个场效应管组成，两个场效应管分别为第一场效应管和第二场效应管，所述第一电容转变的正向电流变化信号为第一场效应管提供栅极驱动电流，第一电阻一端与第一场效应管栅极连接，第一电阻另一端分别与第一场效应管漏极和第二场效应管栅极连接，第二场效应管栅极与第一场效应管漏极连接，第一电阻用于将正向电流变化信号转变为电压变化信号并通过第二场效应管将上述电压变化信号转化为所述功率管(MP)栅极驱动电流，第一场效应管和第二场效应管源端连接地(GND)；

所述第二电流放大器包括第二电阻和两个场效应管组成，两个场效应管分别为第三场效应管和第四场效应管，所述第三电容转变的正向电流变化信号为第三场效应管提供栅极驱动电流，第二电阻一端与第三场效应管栅极连接，第二电阻另一端分别与第三场效应管漏极和第四场效应管栅极连接，第四场效应管栅极与第三场效应管漏极连接，第二电阻用于将正向电流变化信号转变为电压变化信号并通过第四场效应管将上述电压变化信号转化为所述功率管(MP)栅极驱动电流，第三场效应管和第四场效应管源端连接电源(VDD)。

4.根据权利要求3所述的一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路，其特征在于：所述第一场效应管栅极连接电源抑制比提高电路(4)，电源抑制比提高电路(4)包括第五电容(Cvdd)，第五电容(Cvdd)一端与电源(VDD)连接，第五电容(Cvdd)另一端与所述第一场效应管栅极连接；

为平衡所述功率管(MP)栅源之间的电压v_gs，使得v_gs＝0，第五电容(Cvdd)的电容为C_vdd，功率管(MP)的栅源电容C_gs、源漏电阻r_ds满足如下要求：

A＝g_MN2R₁C_C1 (2)

其中，C_P为功率管(MP)栅端寄生电容，g_m为功率管MP的跨导，A为电流放大器放大器倍数，g_MN2为第二场效应管的跨导，R₁为第一电阻的阻值，C_C1为第一电容(C_C1)的电容量。