[发明专利]一种反常色散的单腔双通道光子晶体滤波器

说明书

技术领域

本发明属于光子晶体示波器技术领域，具体涉及一种反常色散的单腔双通道光子晶体示波器。

背景技术

近年来关于光子晶体的研究发展十分迅速，光子晶体的应用也涉及高品质因数微谐振腔的制造、大规模光学集成回路等诸方面，前景非常广阔。同时随着大容量、高密度光通信技术的发展，人们希望能够研制出通带非常窄的窄带光滤波器，同时在光学精密测量方面也不断希望有更窄的窄带滤波技术。因此发展超窄带滤波技术对国民经济和科学研究都具有重要意义。

光子晶体的研究虽然涉及了很多的方面，应用领域也很广阔，并且光子晶体最突出的优点是它由纯介质构成，因而对光几乎无损耗。但是，目前大部分的光子晶体滤波器都是由两种正折射率材料介质膜交替分布的周期结构，随着周期数的增大，利用传输矩阵法数值仿真出的光子晶体滤波器透射峰越来越狭窄，而且对于多周期数的光子晶体滤波器，当平面波以不同的角度入射时，正折射率材料组成的光子晶体随着角度的增大，透射峰的峰位向同一方向改变，但因为只有一个透射峰，不能实现单腔双通道滤波，也很难出现很窄的带宽。因此，目前的光子晶体滤波器无法很好地实现双通道及超窄带宽等特点。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种反常色散的单腔双通道光子晶体示波器，该光子晶体示波器能够有效解决普通光子晶体示波器难以实现双通道和超窄带宽的问题，进而提高了光子晶体示波器的滤波性能。

本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案，一种反常色散的单腔双通道光子晶体示波器，包括衬底，其特征在于：所述的衬底上生长有由横向正中部位向两侧交替排布且纵向长度与衬底纵向长度一致的B介质和A介质，其中A介质为掺杂量子点的反常色散材料，该量子点的介电常数为2.56，B介质为正折射率材料。

进一步优选，所述的衬底上AB介质单元及BA介质单元的周期数N均为8。

进一步优选，所述的A介质的厚度d_A＝70nm，B介质的厚度d_B＝200nm。

进一步优选，所述A介质中量子点的体积浓度为η₁＝0.005、η₂＝0.01或η₃＝0.015。

本发明与现有技术相比具有以下有益效果：通过对透射光谱图的分析可知本发明反常色散的单腔双通道光子晶体滤波器出现了两个透射峰，很好地实现了单腔双通道滤波，并且随着周期数N的增大，透射光谱的半高宽越来越窄，两透射峰的间隔随着周期数N的增大而减小；通带内光的透射率达99.9％以上，而在窄通带以外的很宽的波段内是光子禁带，光的透过率小于0.01％，因而本发明的光子晶体滤波器具有其它类光学滤波器所不具备的单腔双通道、高透射及超窄带宽等优点，进而表明本发明的反常色散的单腔双通道光子晶体滤波器优于普通的光学滤波器。

附图说明

图1为反常色散的单腔双通道光子晶体滤波器的结构示意图；

图2为不同量子点掺杂浓度下介电常数ε的实部与虚部图；

图3为掺杂量子点体积浓度η＝0.01、周期数分别为4、6、8时的透射光谱曲线；

图4为掺杂量子点体积浓度η＝0.01、周期数为8、不同小角度入射时的透射光谱曲线；

图5为掺杂量子点体积浓度为η₁＝0.005、η₂＝0.01、η₃＝0.015情况下对应的介电常数实部的精细图及周期数为8的透射光谱曲线。

具体实施方式

结合附图详细描述本发明的具体内容。在图1中，一种反常色散的单腔双通道光子晶体滤波器为一维带缺陷的光子晶体结构，包括正折射率材料A和反常色散材料B交替生长在衬底上，中间周期性结构被打破，换成了B介质和A介质交替生长，这是一种具有缺陷的一维多孔硅光子晶体，结构简式(AB)^N(BA)^N，两侧的介质单元(AB或BA)的周期数为N，A介质的厚度d_A＝70nm，B介质的厚度d_B＝200nm，让一个平面波在真空中以θ角入射到带缺陷的一维光子晶体上，而且多层结构平行于x-y平面，波沿着z轴垂直入射。对于TE波和TM波，其示意图如图1所示。

运用简化法使量子点通过一个介电常数的二级线性进行建模，

用有效介电常数的方法去处理掺杂一定浓度η的量子点。因此，掺杂过有效介电常数的量子点填充了多孔硅的孔隙