[发明专利]一种等离子弧割炬

权利要求书

1.一种等离子弧割炬，其特征在于：包括割炬本体（13），所述割炬本体（13）内的后部设有上内绝缘体（14），所述上内绝缘体（14）中设有气管（12）和引弧线（11），所述割炬本体（13）的前部设有喷口（2），所述喷口（2）通过喷口底座（10）与所述上内绝缘体（14）的外缘连接，且所述喷口底座（10）后部与所述引弧线（11）连接，所述喷口（2）的内孔包括从下到上依次连接的球形部和锥形部，所述球形部的中心设有中心孔（29），所述喷口底座（10）内部的上内绝缘体（14）上连接有电极底座（8），所述电极底座（8）前部连接电极（3），所述电极（3）向前延伸至喷口（2）内孔的球形部内，所述电极（3）外壁中部向内凹进，所述电极（3）外壁与所述喷口（2）内孔之间形成等离子气体通道（26），所述电极底座（8）内设有中心气管（4），所述中心气管（4）连通所述气管（12）与所述电极（3）的内孔，所述电极底座（8）和喷口底座（10）之间还设有下内绝缘体（9），所述下内绝缘体（9）用于分配气流以及实现喷口（2）与电极（3）之间绝缘，所述喷口（2）外侧罩设有保护罩（1），所述割炬本体（13）前部的喷口底座（10）外侧设有铜外套，所述保护罩（1）后部与所述铜外套固定连接，且所述铜外套和保护罩（1）内壁与所述喷口（2）外壁之间形成冷却气体通道（27），所述中心气管（4）、电极底座（8）、下内绝缘体（9）和喷口底座（10）上还设有气流分配结构，所述等离子气体通道（26）和冷却气体通道（27）通过气流分配结构与所述中心气管（4）连通；

所述电极（3）外壁凹进的部分与所述喷口（2）的锥形部相对；从而扩大喷口与电极之间的空间，以避免双弧效应；

所述电极（3）前端平面中心位置镶嵌一颗铪丝，所述电极（3）内孔为盲孔，所述盲孔的底部设有锥形凸点（34），所述锥形凸点（34）的顶部伸入到所述中心气管（4）内，所述盲孔内壁为台阶孔（35），且靠近盲孔底部的内径小于开口端内径，所述中心气管（4）靠近锥形凸点（34）的一端的内孔侧壁上设有凸台（33），所述凸台（33）的孔径小于中心气管（4）后端的孔径，所述中心气管（4）外壁与电极（3）内壁之间的距离小于所述中心气管（4）的内孔孔径；

所述气流分配结构包括设置在所述中心气管（4）外壁上的环形第一凸缘（20）、设置在电极底座（8）上的第一气孔（18）和第二气孔（21）、设置在所述下内绝缘体（9）上的第三气孔（17）以及设置在喷口底座（10）前端面上的第四气孔（25），所述第一凸缘（20）侧面与所述电极底座（8）内壁抵接，所述第一凸缘（20）上端面、中心气管（4）外壁和电极底座（8）内壁围成第一冷却气体室（19），所述第一凸缘（20）下端面、中心气管（4）外壁和电极底座（8）内壁围成第一等离子气体室（30），所述第一凸缘（20）上沿轴向设有连通所述第一冷却气体室（19）和第一等离子气体室（30）的多条导气槽；

所述电极底座（8）外壁上设有环形的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽之间形成第二凸缘，所述第二凸缘侧面与所述下内绝缘体（9）内壁抵接，所述第一凹槽与所述下内绝缘体（9）内壁形成第二冷却气体室（15），所述喷口底座（10）内壁与所述下内绝缘体（9）外壁之间形成第三冷却气体室（16），所述第一气孔（18）两端连通第一冷却气体室（19）和第二冷却气体室（15），所述第三气孔（17）两端连通第二冷却气体室（15）和第三冷却气体室（16），所述第四气孔（25）连通第三冷却气体室（16）和冷却气体通道（27）；所述第二凹槽与所述下内绝缘体（9）内壁形成第二等离子气体室（22），所述第二气孔（21）连通所述第一等离子气体室（30）与所述第二等离子气体室（22），所述电极底座（8）前端面设有多条旋转气槽，所述旋转气槽连通所述第二等离子气体室（22）与等离子气体通道（26）。

2.如权利要求1所述的等离子弧割炬，其特征在于：所述第一气孔（18）的孔径大于所述第二气孔（21）的孔径，所述第一冷却气体室（19）的体积小于第一等离子气体室（30）的体积，且所述第一冷却气体室（19）的体积小于第二冷却气体室（15），所述第二冷却气体室（15）的体积小于第三冷却气体室（16），所述第一等离子气体室（30）的体积大于第二等离子气体室（22）的体积。