[发明专利]双波输出晶体振荡器在审
申请号: | 201710040400.9 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN107104638A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 村瀬重善;柏村正纮 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨文娟,臧建明 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 晶体振荡器 | ||
技术领域
本发明涉及一种输出两种不同的振荡频率的晶体振荡器,特别涉及一种各个振荡频率不易受到影响的结构的双波输出晶体振荡器。
背景技术
[现存的晶体振荡器:图9]
参照图9对现存的晶体振荡器进行说明。图9是现存的晶体振荡器的结构方块图。
如图9所示,现存的晶体振荡器包括晶体振子1、振荡电路2、分频电路或锁相环(Phase Locked Loop,PLL)电路(分频电路/PLL)5、缓冲器(buffer)3′、选择电路6以及输出端子7′。
现存的晶体振荡器利用振荡电路2将由晶体振子1振荡产生的频率信号放大,并利用分频电路/PLL 5进行分频,经由缓冲器3′从输出端子7′输出分频后的频率信号。
另外,根据来自控制端子的导通/断开信号,由选择电路6控制从缓冲器3′进行输出或停止输出。
另外,关于现存的振荡器,已开发出了振荡产生不同频率的双波输出晶体振荡器(双模式晶体振荡器)。
[关联技术]
再者,作为关联的现有技术,已有日本专利特开2001-156547号公报的“多输出振荡装置”(松下电器产业股份有限公司)(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.)[专利文献1]、日本专利特开2005-303411号公报的“振荡器电路”(东洋通信股份有限公司)(Toyo Communication Equipment Co.,Ltd.)[专利文献2]、日本专利特开2014-236466号公报的“双模式晶体振荡器”(日本电波工业股份有限公司)(Nihon Dempa Kogyo Co.,Ltd.)[专利文献3]、日本专利特开2015-207856号公报的“半导体集成电路、振荡器、电子设备及移动体”(精工爱普生股份有限公司)(Seiko Epson Corporation)[专利文献4]。
专利文献1中示出了如下结构:在多输出振荡装置中,第一输出端子与第二输出端子隔着接地端子而形成在封装(package)的底面。
专利文献2中示出了在振荡器电路中,从第一输出端子与第二输出端子输出相位彼此相差180°的矩形波形信号。
专利文献3中示出了如下结构:在双模式晶体振荡器中,在输出了时钟用信号(32.768kHz)的状态下,输出或停止输出MHz频带的频率,且以不相邻的方式配置有两个输出端子。
专利文献4中示出了如下结构:在振荡器中,在封装的上表面形成有多个输出端子。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2001-156547号公报
[专利文献2]日本专利特开2005-303411号公报
[专利文献3]日本专利特开2014-236466号公报
[专利文献4]日本专利特开2015-207856号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而,所述现存的双波输出晶体振荡器为如下结构,即,为了对晶体振子的特性进行测定,在封装中设置有晶体振子的输入端子(XT端子)与输出端子(XTN端子),所述结构有如下问题点:在双波输出中的一方为MHz频带的频率,另一方为kHz频带的频率的情况下,由kHz频带的频率的输出端子与XT端子形成寄生电容,若kHz频带的频率反馈至XT端子,则kHz频带的频率会干扰MHz频带的频率,导致MHz输出的相位噪声特性变差。
专利文献1为如下结构,即,在封装的底面,隔着接地端子而设置有第一输出端子与第二输出端子,尽管如此仍未使来自各个输出端子的输出的相互影响为最小限度。
另外,在专利文献2中,仅输出利用正射极耦合逻辑(Positive Emitter Coupled Logic,PECL)元件使来自振荡电路的输出的相位改变180°而成的信号波形,而并非是选择性地输出任一个信号波形的结构。
在专利文献3中,以不相邻的方式配置两个输出端子,但并未使来自输出端子的输出的相互影响为最小限度。
另外,在专利文献4中,虽在封装的上表面形成有多个输出端子,但仅在封装的上表面的周围配置有多个输出端子。
本发明是鉴于所述实际情况而成的发明,其目的在于提供如下双波输出晶体振荡器,所述双波输出晶体振荡器是以使双波输出中的频率低的输出端子比频率高的输出端子更远的方式来配置对晶体振子的特性进行测定的输入端子(XT端子),减小寄生电容,使高频率下的相位噪声特性良好。
[解决问题的技术手段]
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