[发明专利]一种热插拔模块供电装置、方法及系统有效
申请号: | 201710029227.2 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN106774772B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 廖明超 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26;G06F13/40 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 李世喆 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热插拔 模块 供电 装置 方法 系统 | ||
1.一种热插拔模块供电装置,其特征在于,包括:控制单元、处理单元及开关单元;
所述开关单元上设置有电流输入端、电流输出端及控制端,其中,所述电流输入端与外部的电源相连,所述电流输出端与外部的热插拔模块相连,所述控制端与所述处理单元相连;
所述控制单元,用于在所述热插拔模块通过热插拔方式接入系统时,向所述处理单元发送第一控制信号;以及在所述热插拔模块出现过流故障时,向所述处理单元发送第二控制信号;
所述处理单元,用于在接收到所述控制单元发送的所述第一控制信号后,向所述开关单元的控制端发送导通信号,以使所述开关单元的电流输入端与电流输出端逐步导通;以及在接收到所述控制单元发送的第二控制信号后,向所述开关单元的控制端发送断开信号,以使所述开关单元的电流输入端与电流输出端立即断开;
所述开关单元,包括:至少一个NMOS管;其中,
各个所述NMOS管的漏极均与所述电源相连,各个所述NMOS管的源极均与所述热插拔模块相连,各个所述NMOS管的栅极分别与所述处理单元相连;
每一个所述NMOS管,用于在接收到所述导通信号后逐步导通,以及在接收到所述断开信号后立即截止;
所述开关单元,进一步包括:至少一个第一电阻,其中所述第一电阻与所述NMOS管一一对应;
每一个所述第一电阻的第一端与相对应的所述NMOS管的栅极相连,每一个所述第一电阻的第二端与所述处理单元相连。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述处理单元包括:第二电阻、电容、二极管及三极管;其中,
所述第二电阻的第一端分别与所述控制单元及各个所述第一电阻的第二端相连,所述第二电阻的第二端与所述三极管的基极相连;所述三极管的集电极及发射极分别与所述电容的两端相连;所述电容的两端分别与所述二极管的负极和地线相连;所述二极管的正极与所述第二电阻的第一端相连;
所述三极管,用于在接收到高电平形式的所述第一控制信号后截止,使所述电容充电,以形成由零逐步增大至所述第一控制信号的导通信号,并将形成的所述导通信号发送给各个所述NMOS管的栅极;以及在接收到低电平形式的所述第二控制信号后导通,使所述电容放电,以直接将所述第二控制信号作为所述断开信号发送给各个所述NMOS管的栅极。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,
所述三极管包括:PNP型三极管或NPN型三极管;
当所述三极管包括PNP型三极管时,
所述PNP型三极管的发射极与所述电容的第一端相连,所述PNP型三极管的集电极与所述电容的第二端相连;所述电容的第一端与所述二极管的负极相连,所述电容的第二端接地;
当所述三极管包括NPN型三极管时,
所述NPN型三极管的发射极与所述电容的第二端相连,所述NPN型三极管的集电极与所述电容的第一端相连;所述电容的第一端与所述二极管的负极相连,所述电容的第二端接地。
4.一种基于权利要求1至3中任一所述热插拔模块供电装置对热插拔模块进行供电的方法,其特征在于,包括:
通过所述控制单元判断所述热插拔模块是否通过热插拔方式接入系统,如果是,向所述处理单元发送第一控制信号;
通过所述处理单元接收所述第一控制信号,并在接收到所述第一控制信号后向所述开关单元的控制端发送导通信号,以使所述开关单元的电流输入端与电流输出端逐步导通,对所述热插拔模块进行供电;
通过所述控制单元判断所述热插拔模块是否出现过流故障,如果是,向所述处理单元发送第二控制信号;
通过所述处理单元接收所述第二控制信号,并在接收到所述第二控制信号后向所述开关单元的控制端发送断开信号,以使所述开关单元的电流输入端与电流输出端立即断开,停止对所述热插拔模块进行供电;
当所述开关单元包括至少一个NMOS管时,
所述使所述开关单元的电流输入端与电流输出端逐步导通,包括:使各个所述NMOS管逐步导通;
所述使所述开关单元的电流输入端与电流输出端立即断开,包括:使各个所述NMOS管立即截止;
当所述开关单元进一步包括至少一个第一电阻,且所述处理单元包括第二电阻、电容、二极管及三极管时,
所述通过所述处理单元接收所述第一控制信号,在接收到所述第一控制信号后向所述开关单元的控制端发送导通信号,包括:
通过所述三极管接收高电平形式的所述第一控制信号,在接收到所述第一控制信号后截止,使所述电容充电,以形成由零逐步增大至所述第一控制信号的导通信号,并将形成的所述导通信号发送给各个NMOS管的栅极;
所述通过所述处理单元接收所述第二控制信号,并在接收到所述第二控制信号后向所述开关单元的控制端发送断开信号,包括:
通过所述三极管接收低电平形式的所述第二控制信号,在接收到所述第二控制信号后截止,使所述电容放电,以直接将所述第二控制信号作为所述断开信号发送给各个NMOS管的栅极。
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