[发明专利]一种晶片阻值保险性电阻器及其生产工艺有效
申请号: | 201710003177.0 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106847447B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 刘立洪 | 申请(专利权)人: | 常州安斯电子有限公司 |
主分类号: | H01C1/02 | 分类号: | H01C1/02;H01C13/02;H01H85/055;H01C17/06 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李明 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 阻值 保险 电阻器 及其 生产工艺 | ||
1.一种晶片阻值保险性电阻器,包括:
基板(1)、电阻层(2)、熔断层(3)和导体(4);
所述电阻层(2)设置于所述基板(1)上,且通过所述导体(4)连接于电路中;
其特征在于:所述熔断层(3)覆盖于所述电阻层(2)表面,且与所述导体(4)连接;
其中,所述熔断层(3)覆盖于所述电阻层(2)表面具体为,所述电阻层(2)包括上下两层,所述电阻层(2)的上层中间部分设置有熔断间隙,所述熔断层(3)下表面设置有伸入所述熔断间隙的突出部。
2.根据权利要求1所述的晶片阻值保险性电阻器,其特征在于:所述导体(4)设置于所述基板(1)左右两侧,且每一侧均包括正面导体和背面导体,所述电阻层(2)设置于两正面导体之间。
3.根据权利要求1所述的晶片阻值保险性电阻器,其特征在于:所述熔断间隙范围为0.3~0.7mm。
4.一种晶片阻值保险性电阻器的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:
A 、导体(4)印刷:按照背面导体-正面导体的印刷顺序,分别在基板(1)左右两侧印刷;
B、电阻层(2)印刷:在两正面导体之间印刷,且分上下两层,其中上层印刷分左右两部分,且保证左右两部分之间的熔断间隙为0.3~0.7mm;
C、熔断层(3)印刷:所述熔断层(3)覆盖所述熔断间隙和电阻层(2)表面,且与左右两侧的正面导体连接;
D、包封。
5.根据权利要求4所述的晶片阻值保险性电阻器的生产工艺,其特征在于:所述电阻层(2)印刷完成后,进行镭射修整,修整初始电阻值。
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