[发明专利]双频天线辐射场型控制系统

权利要求书

1.一种双频天线辐射场型控制系统，其特征在于包括：

一接地面；

一高频辐射体，设置于所述的接地面上，并且该高频辐射体具有一用以产生一高频共振模态的射频信号馈入端；

至少三个低频模态开关，设置于所述的接地面上；

至少三个低频辐射体，与所述至少三个低频模态开关为一对一地连接，并且该至少三个低频辐射体以所述射频信号馈入端为圆心而在所述接地面上呈放射状设置，该至少三个低频辐射体各具有一延伸部与一接地部，所述延伸部用以耦合所述的高频辐射体，而所述接地部由对应的所述低频模态开关连接至所述的接地面，其中当所述的低频模态开关被导通时，被导通的所述低频模态开关所连接的所述接地部被导通至该接地面以产生一低频共振模态，该低频共振模态的频率低于所述高频共振模态的频率，当所述低频模态开关未被导通时，未被导通的该低频模态开关所连接的所述低频辐射体作为一低频场型导引单元；

用以反射所述高频共振模态的辐射能量的至少三个高频模态开关，设置于所述的地面上；以及

至少三个反射单元，与所述至少三个高频模态开关为一对一地连接并且以所述射频信号馈入端为圆心在所述接地面上呈现环形排列，每一个反射单元藉由对应的所述高频模态开关连接所述的接地面，所述至少三个反射单元的长度为所述高频共振模态的中心频率所对应波长的四分之一。

2.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于在所述的至少三个低频辐射体中，每一个低频辐射体的长度均为所述低频共振模态的中心频率所对应波长的四分之一。

3.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于所述的高频辐射体还具有至少三个垂直金属部，所述的至少三个低频辐射体与所述的至少三个垂直金属部是一对一对应的，且每一个低频辐射体与对应的垂直金属部处于同一垂直平面上。

4.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于当所述的至少三个低频辐射体中的其中一个低频辐射体所连接的所述低频模态开关被导通且其余的低频模态开关未被导通时，所述高频共振模态的辐射场型在连接被导通的所述低频模态开关的所述低频辐射体的两侧方向具有较大的增益。

5.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于所述至少三个低频辐射体的接地部彼此以所述射频信号馈入端为圆心在所述接地面上呈环形排列。

6.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于所述的低频辐射体的数量与所述反射单元的数量相同，而反射单元与最靠近的所述低频辐射体的距离为所述高频共振模态的中心频率所对应波长的四分之一。

7.根据权利要求6所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于所述低频辐射体与所述反射单元在以所述射频信号馈入端为圆心的一环形上彼此交错设置。

8.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于所述低频辐射体的数量为三个并且分别为一第一低频辐射体、一第二低频辐射体以及一第三低频辐射体；所述反射单元的数量为三个并且分别为一第一反射单元、一第二反射单元以及一第三反射单元；所述的第一低频辐射体与所述第二低频辐射体彼此的夹角为120度，第二低频辐射体与所述第三低频辐射体彼此的夹角为120度，而第三低频辐射体与所述第一低频辐射体彼此的夹角为120度，所述的第一反射单元相对于所述第一低频辐射体与所述第三低频辐射体的距离相等，所述的第二反射单元相对于所述第一低频辐射体与所述第二低频辐射体的距离相等，所述第三反射单元相对于所述第二低频辐射体与所述第三低频辐射体的距离相等。

9.根据权利要求1所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于当所述的至少三个低频辐射体中的所有低频辐射体的所述接地部分别藉由对应的所述低频模态开关被导通至所述接地面时，且当所述的至少三个高频模态开关均不导通时，所述的高频共振模态的辐射场型在平行于所述接地面的一平面上为全向性辐射场型。

10.根据权利要求2所述的双频天线辐射场型控制系统，其特征在于所述高频共振模态的中心频率位于5GHz的频带，并且所述低频共振模态的中心频率位于2.4GHz的频带。