[发明专利]一种提高太赫兹时域光谱系统频谱分辨率的方法

权利要求书

1.一种提高太赫兹时域光谱系统频谱分辨率的方法，其特征在于包括：

将太赫兹时域光谱系统中的电光晶体设计为楔形，所述电光晶体的前表面与探测激光的光轴垂直、后表面与探测激光的光轴形成夹角；

使用吸波体遮挡住在所述电光晶体内震荡后出射的探测激光；

其中，所述太赫兹时域光谱系统包括：

开孔离轴抛物面镜，用于太赫兹波的聚焦；长焦激光透镜，用于探测激光的聚焦；电光晶体和光电自平衡探测器，用于太赫兹波的探测；吸光体，用于遮挡和吸收在电光晶体内震荡后出射的探测激光。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，探测激光的焦点与太赫兹波的焦点重合，并位于所述电光晶体的后表面。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电光晶体的后表面为圆锥面，所述圆锥面的顶点位于所述探测激光的光轴上、且朝向所述电光晶体的前表面。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电光晶体的后表面为二维平面。

5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述电光晶体的切割角满足如下关系：

$\mathrm{\θ}\≥\arctan \frac{X}{2L}$

式中，θ为电光晶体的切割角，即圆锥面的母线与电光晶体前表面之间的夹角、或者二维平面与电光晶体前表面之间的夹角，单位为°；X为最小分开距离，L为探测激光在电光晶体内传输一次的距离，单位为mm。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，X≥h；

式中，h为聚焦后的光斑尺寸，单位为mm。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述吸光体设置在所述电光晶体的后表面上、或者设置在所述电光晶体后表面的后侧。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述吸光体贴附在所述电光晶体的后表面上，所述吸光体的中心设置有通孔用于透射从所述电光晶体出射、且未在所述电光晶体内震荡的探测激光。