[发明专利]一种基于FLASH的低功耗MCU芯片装置在审

专利信息
申请号: 201710000833.1 申请日: 2017-01-03
公开(公告)号: CN106774812A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 万上宏;叶媲舟;涂柏生 申请(专利权)人: 深圳市博巨兴实业发展有限公司
主分类号: G06F1/32 分类号: G06F1/32
代理公司: 深圳力拓知识产权代理有限公司44313 代理人: 李伟
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 flash 功耗 mcu 芯片 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及芯片技术领域,具体是一种基于FLASH的低功耗MCU芯片装置。

背景技术

对于芯片设计来说,在设计目标上往往存在冲突,即它们的性能要足够强大,同时功耗又要足够低。本发明提出一种基于FLASH的低功耗MCU芯片设计方案,在芯片中的通过FLASH接口管理模块对FLASH存储器进行低功耗的读时序控制,能够节省FLASH存储器的功耗,从而使MCU芯片适用于低功耗应用要求。在MCU芯片设计中,当采用速度不同的FLASH的IP时,可以通过改变MCU芯片中延时控制单元的延时,从而获得合适FLASH操作的接口时序,因而本方案具有强的实用性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于FLASH的低功耗MCU芯片装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种基于FLASH的低功耗MCU芯片装置,包括FLASH存储器、FLASH接口控制模块、复位产生模块、芯片配置控制单元和MCU内核,所述FLASH存储器连接FLASH接口控制模块,FLASH接口控制模块还分别连接复位产生模块、芯片配置控制单元和MCU内核。

作为本发明的进一步方案:还包括负责产生芯片工作所需要的工作时钟的时钟产生模块,时钟产生模块分别连接FLASH接口控制模块和MCU内核。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明在芯片中通过FLASH接口管理模块对FLASH存储器进行低功耗的读时序控制,能够节省FLASH存储器的功耗,从而使MCU芯片适用于低功耗应用要求。在MCU芯片设计中,当采用速度不同的FLASH的IP时,可以通过改变MCU芯片中延时控制单元的延时,从而获得合适FLASH操作的接口时序,因此具有强的实用性。

附图说明:

图1为本发明的整体框图;

图2为FLASH接口控制模块的框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-2,一种基于FLASH的低功耗MCU芯片装置,包括FLASH存储器、FLASH接口控制模块、复位产生模块、芯片配置控制单元和MCU内核,所述FLASH存储器连接FLASH接口控制模块,FLASH接口控制模块还分别连接复位产生模块、芯片配置控制单元和MCU内核。

还包括负责产生芯片工作所需要的工作时钟的时钟产生模块,时钟产生模块分别连接FLASH接口控制模块和MCU内核。

本发明的工作原理是:MCU芯片内部包括时钟产生模块(CLK_GEN)、复位产生模块(RST_GEN)、FLASH存储器、FLASH接口控制模块(FLASH_INTF)、芯片配置控制单元(CFG)、MCU内核(CORE)。时钟产生模块(CLK_GEN)负责产生芯片工作所需要的工作时钟。当MCU内核请求读取存储于FLASH中某一地址对应的内容时,MCU内核(CORE)输出有效的读FLASH请求信号(fls_rd),同时输出对应的读地址信号(fls_adr)。当FLASH接口控制模块(FLASH_INTF)检测到有效的读FLASH请求信号(fls_rd)时,将产生FLASH存储器所需的低功耗接口时序,从FLASH中把相应地址单元的值读回,并且将读回的值(fls_din)输送到MCU内核(CORE)。芯片配置控制单元(CFG)负责对芯片全局性配置进行控制。在本设计中,这些全局性配置控制信息包括用于控制芯片中FLASH接口模块中的各延时控制单元的延时控制信息(dly_ctrl1、dly_ctrl2、dly_ctrl3)。

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