[发明专利]ESD保护装置有效
| 申请号: | 201680081785.7 | 申请日: | 2016-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN108701969B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
| 发明(设计)人: | 三木武;本乡央光;鹫见高弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01T2/02 | 分类号: | H01T2/02;H01T1/20;H01T4/10;H01T4/12 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | esd 保护装置 | ||
1.一种ESD保护装置,其具备:
陶瓷本体,其包含玻璃成分;
第1放电电极和第2放电电极,它们在所述陶瓷本体内设置在同一平面上,相互隔着间隙对置;
放电辅助电极,其将所述第1放电电极与所述第2放电电极在同一平面上连接;和
密封层,其在所述放电辅助电极与所述陶瓷本体之间,防止玻璃成分从所述陶瓷本体渗入所述放电辅助电极,
所述密封层包含导电成分。
2.根据权利要求1所述的ESD保护装置,其中,
在所述陶瓷本体的内部设置有空洞部,所述空洞部包含所述第1放电电极与所述第2放电电极之间的所述间隙,并且面向所述密封层。
3.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
所述密封层所含的所述导电成分的含量少于所述放电辅助电极所含的导电成分的含量。
4.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
所述密封层所含的所述导电成分的含量为15vol%以上且45vol%以下。
5.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
相对于所述第1放电电极和所述第2放电电极,所述密封层至少位于与所述放电辅助电极相反的一侧的区域,
仅在位于所述相反的一侧的区域处的密封层包含有所述导电成分。
6.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
所述密封层所含的所述导电成分,为与所述第1放电电极和所述第2放电电极所含的导电成分相同的材料。
7.根据权利要求2所述的ESD保护装置,其中,
所述密封层所含的所述导电成分的至少一部分向所述空洞部暴露。
8.根据权利要求1所述的ESD保护装置,其中,
在所述陶瓷本体的内部设置有空洞部,所述空洞部包含所述第1放电电极与所述第2放电电极之间的所述间隙,并且面向所述密封层,
相对于所述第1放电电极和所述第2放电电极,所述密封层至少位于与所述放电辅助电极相反的一侧的区域,
位于所述相反的一侧的区域处的密封层包含所述导电成分。
9.根据权利要求8所述的ESD保护装置,其中,
在包含所述第1放电电极与所述第2放电电极相互对置的X方向、及所述第1放电电极和所述第2放电电极与所述放电辅助电极相互对置的Z方向的XZ剖面中,所述空洞部的在Z方向上的最大距离a短于所述第1放电电极与所述第2放电电极之间的间隙的在X方向上的最小距离d。
10.根据权利要求8或9所述的ESD保护装置,其中,
在包含所述第1放电电极与所述第2放电电极相互对置的X方向、及所述第1放电电极和所述第2放电电极与所述放电辅助电极相互对置的Z方向的XZ剖面中,所述空洞部的在X方向上的最大距离b大于所述第1放电电极与所述第2放电电极之间的间隙的在X方向上的最小距离d。
11.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
从与所述同一平面正交的方向观察,由所述密封层的轮廓线围起的区域的面积大于由所述放电辅助电极的轮廓线围起的区域的面积。
12.根据权利要求11所述的ESD保护装置,其中,
从与所述同一平面正交的方向观察,由所述放电辅助电极的轮廓线围起的区域包含在由所述密封层的轮廓线围起的区域内。
13.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
所述导电成分具有绝缘粒子和覆盖所述绝缘粒子的导电层。
14.根据权利要求1或2所述的ESD保护装置,其中,
所述导电成分具有导电粒子,在所述导电粒子的表面设置有突起部。
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