[发明专利]基板的制造方法及使用其的发光元件的制造方法有效
| 申请号: | 201680062906.3 | 申请日: | 2016-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN108291087B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 小林秀行;弓场智之 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
| 主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08G65/18;C08K5/1525;C08L63/00;C08L79/04;G03F7/004;G03F7/023;G03F7/075;G03F7/20;G03F7/40 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 方法 使用 发光 元件 | ||
1.基板的制造方法,所述基板是经图案加工的基板,所述制造方法包括:
在基板上设置包含以下成分的树脂组合物的被膜的工序,所述成分为:(A)选自以下组中的碱溶性树脂,所述组由聚酰亚胺(a-1)、聚酰胺酰亚胺(a-2)、聚酰亚胺前体(a-3)、聚酰胺酰亚胺前体(a-4)、聚苯并噁唑(a-5)、聚苯并噁唑前体(a-6)、(a-1)~(a-6)中的至少两种以上的共聚物、及(a-1)~(a-6)中的至少一种与其他结构单元的共聚物组成,(B)光产酸剂,以及(C)选自由环氧化合物及氧杂环丁烷化合物组成的组中的至少一种化合物;
形成被膜的图案的工序;
以被膜的图案作为掩模,利用刻蚀对基板进行图案加工的工序;以及
将树脂组合物的被膜除去的工序,
其中,形成所述树脂组合物的被膜的图案的工序包括对经图案形成的被膜进行固化的工序,
所述树脂组合物的被膜的图案包含酰胺基及酰亚胺基,且酰胺基与酰亚胺基的摩尔比率为0.3≤酰亚胺基/(酰胺基+酰亚胺基)≤0.7。
2.如权利要求1所述的基板的制造方法,其中,所述碱溶性树脂以通式(1)表示的结构单元为主成分,
[化学式1]
通式(1)中,R1表示碳原子数2~50的二价有机基团;R2表示碳原子数2~50的三价或四价有机基团;R3表示氢原子、或碳原子数1~10的有机基团;m1为1或2的整数。
3.如权利要求2所述的基板的制造方法,其中,在所述通式(1)中,R1具有下述通式(3)表示的结构,
[化学式2]
通式(3)中,R4~R7各自独立地表示卤原子或碳原子数1~3的一价有机基团;X1为单键、O、S、NH、-SO2-、CO或碳原子数1~3的二价有机基团、或者它们中的两个以上键合而成的二价基团;b1、b2为0~3的整数;b3、b4为0~4的整数。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基板的制造方法,其中,所述(C)成分含有氧杂环丁烷化合物,所述氧杂环丁烷化合物具有下述通式(10)或(11)表示的结构,
[化学式3]
n表示1~10的整数。
5.如权利要求1~3中任一项所述的基板的制造方法,其中,树脂组合物还包含(D)通式(12)表示的硅烷化合物或其水解缩合物,
[化学式4]
通式(12)中,R8表示稠合多环式芳香族烃基,稠合多环式芳香族烃基上的氢原子可被羟基、烷基、链烯基或烷氧基取代;R9表示氢原子或碳原子数1~6的烷基;s表示1~3的整数。
6.如权利要求1~3中任一项所述的基板的制造方法,其中,对所述被膜进行固化的工序是在氧浓度为5%以下的气氛下于180℃~250℃进行加热的工序。
7.如权利要求1~3中任一项所述的基板的制造方法,其中,所述基板包含选自由铝、硅、钛、钽、镓、锗、铁、镍、锌、铟、硼、锰、磷、钴及锆组成的组中的至少一种元素。
8.如权利要求7所述的基板的制造方法,其中,所述基板选自由蓝宝石即Al2O3、硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化铝(AlN)、氮化钽(TaN)、钽酸锂(LiTaO3)、氮化硼(BN)、氮化钛(TiN)及钛酸钡(BaTiO3)组成的组。
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