[发明专利]跨导电流源在审

专利信息
申请号: 201680061333.2 申请日: 2016-09-13
公开(公告)号: CN108141187A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: P·墨菲;C·多诺万;C·卡希尔 申请(专利权)人: 法尔科姆斯有限公司
主分类号: H03F3/345 分类号: H03F3/345;H03F3/08;H03F3/50;H03F1/22;H03F1/32
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 舒雄文;蹇炜
地址: 爱尔*** 国省代码: 爱尔兰;IE
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摘要:
搜索关键词: 电流源 输入端 低输入电压 电压降电路 跨导电路 偏置电压 输出端 并联 导电 导通 流源 配置
【权利要求书】:

1.一种跨导电路,包括:

输入端(VIN)和输出端(Out);

第一电流源(4),具有连接至所述输入端(VIN)的栅极;以及

第二电流源(5),与所述第一电流源并联,并且比所述第一电流源具有更高的跨导和更宽的动态范围,并且

其中,所述电流源被配置为使得在低输入电压处,仅所述第一电流源(4)导通。

2.如权利要求1所述的跨导电路,其中,所述跨导电路包括电压降电路(2、3),相比于给所述第一电流源,所述电压降电路(2、3)给所述第二电流源提供更低的偏置电压。

3.如权利要求2所述的跨导电路,其中,所述电压降电路包括源极跟随器(2)和用于所述源极跟随器的电流源(3),其中,所述输入端与所述第一电流源(4)和所述源极跟随器(2)的栅极链接。

4.如权利要求3所述的跨导电路,其中,所述源极跟随器(2)和所述电流源(4、5)被配置为使得跨所述源极跟随器(2)的栅-源电压降确保所述第二电流源(5)处于关闭直到在所述输入电压增大期间所述第二电流源(5)被导通的点。

5.如任一前述权利要求所述的跨导电路,其中,所述电流源(4、5)中的每一个是NMOS或PMOS MOSFET器件或PNP或NPN晶体管。

6.如任一前述权利要求所述的跨导电路,包括具有不同跨导且并联连接的两个以上的电流源。

7.如任一前述权利要求所述的跨导电路,其中,输出端直接或经由共发共基放大器链接至所述第一电流源和所述第二电流源的输出。

8.一种光学接收器,包括光电二极管和链接至所述光电二极管的根据任一前述权利要求所述的跨导电路。

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