[发明专利]发光设备

权利要求书

1.一种发光设备(100)，其中，所述发光设备(100)包括至少一个发光结构(110)、至少一个处理层(120)以及至少一个光学结构(130)，其中，所述光学结构(130)包括借助于处理光(150)而被处理的至少一种材料，并且其中，所述至少一个处理层(120)被布置为在借助于所述处理光(150)对所述材料进行处理期间将所述处理光(150)沿所述光学结构(130)的方向的反射减少至少50％，其中，所述处理层(120)包括抗反射涂层，其中，所述抗反射涂层适于将所述处理光(150)透射到吸收结构，使得所述处理光(150)的所述反射通过借助于所述吸收结构的吸收而被减少，并且其中，所述抗反射涂层的厚度适于使得在所述抗反射涂层的更靠近所述处理光(150)的源的第一表面处反射的处理光(150)与在所述抗反射涂层的背向所述处理光(150)的所述源的第二表面处被反射的处理光(150)发生相消干涉。

2.根据权利要求1所述的发光设备(100)，其中，所述至少一个处理层(120)被布置为在借助于所述处理光(150)对所述材料进行处理期间将所述处理光(150)沿所述光学结构(130)的方向的反射减少至少80％。

3.根据权利要求1所述的发光设备(100)，其中，所述至少一个处理层(120)被布置为在借助于所述处理光(150)对所述材料进行处理期间将所述处理光(150)沿所述光学结构(130)的方向的反射减少至少95％。

4.根据权利要求1所述的发光设备(100)，其中，所述至少一个处理层(120)被布置为在借助于所述处理光(150)对所述材料进行处理期间将所述处理光(150)沿所述光学结构(130)的方向的反射减少至少99％。

5.根据权利要求1所述的发光设备(100)，其中，所述发光结构(110)是VCSEL的阵列，所述VCSEL的阵列包括所述VCSEL的阵列的底部处的第一电触点(111)，所述VCSEL的阵列还包括半导体基板(112)，所述半导体基板(112)包括激光器腔，所述激光器腔具有底部DBR和顶部DBR以及在所述底部DBR与所述顶部DBR之间的活化层，所述VCSEL的阵列还包括第二电触点(114)，其中，所述处理层(120)被布置在所述第二电触点(114)与所述至少一个光学结构(130)之间。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的发光设备(100)，其中，所述至少一个处理层(120)适于避免在至少200℃的温度下剥离所述光学结构(130)。

7.根据权利要求6所述的发光设备(100)，其中，所述至少一个处理层(120)适于避免在至少220℃的温度下剥离所述光学结构(130)。

8.根据权利要求6所述的发光设备(100)，其中，所述至少一个处理层(120)适于避免在至少250℃的温度下剥离所述光学结构(130)。

9.根据权利要求1-5中的任一项所述的发光设备(100)，其中，由所述光学结构(130)包括的所述材料包括紫外或蓝光可固化聚合物材料，并且其中，所述处理光(150)包括在250nm与450nm之间的波长范围内的光。

10.根据权利要求9所述的发光设备(100)，其中，所述处理光(150)包括在300nm与400nm之间的波长范围内的光。

11.根据权利要求9所述的发光设备(100)，其中，所述处理光(150)包括在335nm与385nm之间的波长范围内的光。

12.根据权利要求9所述的发光设备(100)，其中，所述聚合物材料包括基于以下的树脂与至少一种光引发剂的组合：丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或硫醇-烯。