[发明专利]采用共享源极线的互补磁性隧道结MTJ位单元及相关方法

权利要求书

1.一种反向互补磁性隧道结MTJ位单元，包括：

第一MTJ；

第二MTJ；

第一存取晶体管的第一电极，耦合至所述第一MTJ的底层；

第二存取晶体管的第一电极，耦合至所述第二MTJ的顶层；

字线，耦合至所述第一存取晶体管的第二电极和所述第二存取晶体管的第二电极；

第一位线，设置在第三金属层中并且耦合至所述第一MTJ的顶层；

第二位线，设置在第二金属层中并且耦合至所述第二MTJ的底层；以及

共享源极线，设置在第一金属层中并且耦合至所述第一存取晶体管的第三电极和所述第二存取晶体管的第三电极，

其中，所述第一位线被配置为接收第一写入电压；

所述第二位线被配置为接收第二写入电压；并且

所述第二金属层在所述第一金属层上方，所述第三金属层在所述第二金属层上方，并且所述第一MTJ和所述第二MTJ在所述第三金属层上方。

2.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中所述反向互补MTJ位单元包括两(2)晶体管两(2)MTJ(2T2MTJ)反向互补位单元。

3.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中：

所述第一位线还被配置为接收第一读取电压；

所述第二位线还被配置为接收第二读取电压；以及

所述共享源极线被配置为接收共享读取电压。

4.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中：

所述共享源极线被配置为接收共享写入电压。

5.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中：

所述第一MTJ的顶层包括所述第一MTJ的自由层；

所述第一MTJ的底层包括所述第一MTJ的钉扎层；

所述第二MTJ的顶层包括所述第二MTJ的自由层；以及

所述第二MTJ的底层包括所述第二MTJ的钉扎层。

6.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中：

所述第一MTJ的顶层包括所述第一MTJ的钉扎层；

所述第一MTJ的底层包括所述第一MTJ的自由层；

所述第二MTJ的顶层包括所述第二MTJ的钉扎层；以及

所述第二MTJ的底层包括所述第二MTJ的自由层。

7.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中所述第一存取晶体管包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且其中：

所述第一存取晶体管的第一电极包括漏极；

所述第一存取晶体管的第二电极包括栅极；以及

所述第一存取晶体管的第三电极包括源极。

8.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中所述第二存取晶体管包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且其中：

所述第二存取晶体管的第一电极包括漏极；

所述第二存取晶体管的第二电极包括栅极；以及

所述第二存取晶体管的第三电极包括源极。

9.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中所述第一存取晶体管包括p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且其中：

所述第一存取晶体管的第一电极包括源极；

所述第一存取晶体管的第二电极包括栅极；以及

所述第一存取晶体管的第三电极包括漏极。

10.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，其中所述第二存取晶体管包括p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且其中：

所述第二存取晶体管的第一电极包括源极；

所述第二存取晶体管的第二电极包括栅极；以及

所述第二存取晶体管的第三电极包括漏极。

11.根据权利要求1所述的反向互补MTJ位单元，集成到集成电路(IC)中。