[发明专利]已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法

说明书

技术领域

本发明涉及在气体填充容器的内部填充化学式：C₄H₉F或C₅H₁₁F所示的氟化烃化合物而形成的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法。

背景技术

一直以来，在制造半导体装置等时的蚀刻处理中，为了选择性地蚀刻被蚀刻材料，使用氟化烃化合物作为蚀刻气体。

为了稳定地进行微细的加工，要求蚀刻处理所使用的氟化烃化合物为高纯度(例如，纯度为99.90体积％以上)。此外，氟化烃化合物被填充在气体填充容器中，直到使用时为止多以该状态保存。

因此，蚀刻处理所使用的氟化烃化合物不仅需要在填充到气体填充容器时的纯度高，还需要在气体填充容器中可长时间维持其高纯度。

作为维持气体填充容器内的气体的纯度的方法，已知对气体填充容器的内表面进行清洗处理的方法。

专利文献1中记载了气体填充容器内面的清洗处理方法，其特征在于，对气体填充容器内面进行抛光、水洗后，进一步用低沸点、亲水性的溶剂进行清洗。

该文献中还记载了向实施了该清洗处理的气体填充容器中填充氯化氢等腐蚀性气体时，抑制了金属杂质导致的气体的纯度的下降。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-302489号公报。

发明内容

发明要解决的问题

像上述那样，通过使用专利文献1中记载的实施了清洗处理的气体填充容器，从而能够抑制腐蚀性气体的纯度的下降。

但是，根据本发明人的研究发现，所填充的气体为化学式：C₄H₉F或C₅H₁₁F所示的氟化烃化合物时，即使使用实施了那样的清洗处理的气体填充容器也不能有效地抑制气体的纯度的下降。进一步地，还发现在实施了那样的清洗处理的气体填充容器中，气体填充容器中的水分量随时间增加的倾向，有填充的氟化烃化合物不能用作蚀刻气体的情况。

本发明是鉴于上述的现有技术而完成的，其课题在于提供一种在气体填充容器的内部填充化学式：C₄H₉F或C₅H₁₁F所示的氟化烃化合物而形成的、填充的氟化烃化合物的纯度不易下降的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、气体填充容器的制造方法及氟化烃化合物的保存方法。

用于解决问题的方案

本发明人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，(i)由于化学式：C₄H₉F或C₅H₁₁F所示的氟化烃化合物的一部分分解，生成脱HF化合物(烯烃化合物)，因此引起纯度的下降，(ii)在使用了不锈钢、锰钢等钢材的气体填充容器中，其内表面所存在的金属原子等路易斯酸成分能够作为分解上述氟化烃化合物的催化剂而发挥功能，以及(iii)通过实施了使气体填充容器的内表面接触胺系化合物的处理，从而能够抑制路易斯酸成分的催化剂活性，抑制气体填充容器所填充的氟化烃化合物的纯度的下降，以至完成了本发明。

因此，根据本发明，提供下述[1]～[4]的已填充氟化烃化合物的气体填充容器、[5]气体填充容器的制造方法及[6]氟化烃化合物的保存方法。

[1]一种已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其特征在于，是在气体填充容器的内部填充化学式：C₄H₉F或C₅H₁₁F所示的氟化烃化合物而形成的，上述氟化烃化合物的填充所使用的气体填充容器的至少内表面为不锈钢、锰钢、碳钢或铬钼钢制，并且实施了使其内表面接触胺系化合物的处理及在该处理后挥发除去气体填充容器内的胺系化合物的处理。

[2]根据[1]所述的已填充氟化烃化合物的气体填充容器，其中，上述胺系化合物为下述化学式(I)～(III)中任一个所示的碳原子数为10以下的化合物。

[化学式1]